本文来自“全球半导体观察”。
根据TrendForce集邦咨询研究显示，2021年第一季DRAM(内存)需求较预期更为强劲，主要包含远距办公与教学带动笔电需求淡季不淡，以及中国智能手机品牌OPPO、vivo、小米(01810)积极加大零部件采购力道，欲抢食华为(Huawei)的市占缺口。
再者，云端服务器业者的备货需求逐步回温，即便各式零部件缺料如各类IC、被动元件等问题频传，仍使第一季各家DRAM供应商的出货表现优于预期。
而DRAM价格亦如先前预测于第一季开始正式反转向上，在出货量与报价同步上升的情况下，除了使原厂营收表现皆成长之外，也进一步推升2021年第一季DRAM总产值至192亿美元，季增8.7%。
时序进入第二季，包括PC、mobile、graphics及specialty DRAM在内的各产品需求仍将维持稳健。此外，先前拉货动能较疲软的服务器业者经过2~3季的库存去化，加上预期DRAM价格将持续上扬，部分业者重启新一轮的备货潮。
TrendForce集邦咨询预期，第二季原厂DRAM平均销售单价上扬幅度将十分显著，配合出货量持续向上，整体DRAM产值季成长率将有机会突破两成。
第一季DRAM价格反转向上，推动三大原厂营收表现
以营收表现来看，三大DRAM原厂的出货量与平均销售单价同样呈现“量价齐扬”的走势，且出货增幅优于预期，显示出报价反转刺激采购端积极备货。三星(Samsung)、SK海力士(SK Hynix)及美光(MU.US)的营收分别上扬8.5%、6.9%及9.6%;市占率变化则不大，仅美光小幅上扬至23.1%，第二季三大原厂的市占仍将不会出现明显改变。
以获利表现来看，尽管第一季的DRAM均价涨幅落在0~5%，不过因各厂商先进制程的转进时程有所不同，故获利表现也有所差异。
以三星而言，由于正值1Znm量产初期，良率较低导致营业利益率由去年第四季的36%下滑至34%;SK海力士则受惠于新制程良率有所进步，由上季的26%回升至29%。而美光本次财报季区间(12月至2月)的报价涨幅与韩厂大致相同，其营业利益率也自上季的21%上升至26%。
整体而言，第二季受到报价跃进的挹注，预估原厂获利能力都将有明显进展，其中三星随着1Znm良率逐渐成熟，估其获利增幅将最为明显。
DRAM需求好转，原厂加快下半年产能扩增计划
2021年三大原厂陆续加速产能或制程转进的规划，以应对终端逐步上修的需求，不过由于新增产能开出的时间点将主要落在2022年上半年，对于今年DRAM市况的影响不大。
从三大原厂产能方面来看，三星为应对利基型的specialty DRAM的热络需求，除了放缓旧厂Line 13原先由DRAM转向CIS(影像传感器)的步调外，也决定扩增最新平泽二厂P2L年底的产能，以应对需求面的好转。
SK海力士旧厂M10同样放缓DRAM转至逻辑IC的进度，并决定将部分2022年的资本支出规划提前至今年，年底新厂M16的投片有机会小幅向上，但今年其DRAM位元增加仍主要来自于1Ynm及1Znm制程比重的提升。
美光今年仍着重在1Znm及1 alpha nm制程的量产及拉升整体产出比重，凭借成本优势，1Znm已成为美光主推制程，并广泛应用于各类DRAM产品;此外，其也开始下一代1 alpha nm的产品验证，制程推演速度相当快。而总产能在没有全新厂房的规划下，投片将大致与去年相当。
Specialty DRAM市况热络，台厂动态调配产能迎涨价潮
台厂方面表现甚至优于三大原厂，主因是在此波DRAM涨价潮中，利基型的specialty DRAM率先领涨且涨幅最剧。
南亚科(Nanya Tech)受到报价大涨的挹注，第一季营收季增21.7%，而营业利益率也随着报价走扬而大幅进步，由上季的8.8%上升至17.1%。
华邦(Winbond)整体订单需求仍十分稳健，不过第一季以specialty DRAM及NAND Flash业务表现较好，在利基型存储器市况率先好转的帮助下，DRAM营收也因此季增9%。然而，TrendForce集邦咨询认为，需待华邦2022年高雄路竹厂加入量产后，才有机会舒缓供货紧缺的态势。
力积电(PSMC)营收仅计自家生产之标准型DRAM产品，不包含DRAM代工业务，其第一季DRAM营收成长约7%;若加总代工营收，成长则达到16%。
面临此波缺货潮，三大台厂皆趁势将部分产能转移至自身最具优势的产品，以达到生产效益最大化，如南亚科将部分20nm产能由DDR4调配回DDR3，因DDR3目前获利水平优于DDR4。
华邦则将有限的DRAM产能重点锁定在最利基的小容量产品，因该产品在市场具备极高的定价话语权。
力积电在现阶段逻辑IC与specialty DRAM需求皆旺的情况下，透过客户提高报价的方式，在两者间动态调配产能以优化获利。
（智通财经编辑：庄礼佳）
