本文来自东吴证券(国际)。
中车时代电气(03898)是功率半导体IDM龙头，后续科创板上市有望拔高估值。中车时代电气是中国轨道交通行业具有领导地位的牵引变流系统供应商，其全系列高可靠性 IGBT产品打破了轨交核心器件国外垄断，公司利用其在轨交领域功率半导体的技术优势积极布局新能源车和电网IGBT赛。
目前已形成年产能12万片的8英寸IGBT产线(主要为轨交和电网高压IGBT)和年产能24万片的8英寸车规级IGBT产线(以新能源车低压IGBT为主)，IGBT产品实现750V-6500V 全电压覆盖，公司生产的 3300V 等系列 IGBT 批量应用于柔性直流输电、百兆级大容量电力系统。
此外公司在新能源车IGBT模块市场占有率位列全球第九，电车IGBT已进入长安、一汽等整车供应链。公司于12月30日公告称其在科创板上市的申请材料获上交所受理并进入审核流程，计划发行2.41亿股募集共77.67亿元，发行价每股约39港元，期待科创板上市后带来估值重估。
新能源车IGBT业务有望成为公司业绩增长新动力。IGBT下游应用涵盖新能源车及充电桩、光风发电、智能电网、轨交等领域，其中新能源车市场空间最大且占比约30%，2022年IGBT市场空间有望达约60亿美元(新能源车IGBT市场空间有望达近20亿美元)。
考虑到IGBT模组占整车成本7-10%且对于电车的能源效率起决定性作用，因此有着认证周期长、替换成本较高的特点，先进入的企业优势显著。从目前电车IGBT竞争格局来看，国内仅比亚迪(01211)半导体(市占率18%)、斯达半导体(1.6%)、中车时代电气(0.8%)进入全球电车IGBT供应商前十。
尽管国产供应商较英飞凌等海外厂商差距仍存，但在自主可控、国产性价比等因素影响下，公司有望凭借IDM和先发优势抓住电车IGBT快速发展的机遇，使之成为新的业绩增长引擎。
提前布局第三代功率半导体器件奠定长期发展之路。以SiC和GaN等材料作衬底的第三代功率半导体较IGBT有着更好的性能，但目前受制于SiC衬底价格高昂以及制造良率爬坡困难暂时难以大规模推广，当IGBT技术成本难以继续下降时SiC衬底的功率器件将凸显优势，长期将有望取代IGBT。
公司自2010年开始构思SiC芯片，2018年初在其国内首条6英寸SiC芯片生产线上试制成功，目前公司SiC MOSFET芯片覆盖650V-3300V电压等级：
第1代SiC MOSFET技术应用于1200-3300V电压等级，满足智能电网等高压领域需求，第2代SiC MOSFET技术应用于650-1200V电压等级，满足新能源汽车、混合动力汽车、风力发电、光伏逆变等领域;SiC模块产品型谱覆盖1200V-3300V电压等级，样品已小批量提供国内轨道交通、新能源客户验证应用。
（编辑：彭伟锋）
