天风证券:华虹半导体(01347)Q2业绩向好 分立器件&MCU为业绩持续增长提供强劲动力

14900 8月9日
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华虹半导体(01347)发布2019上半年及二季度财报,H1营收4.5亿美元,同比增长2.5%,Q2营收2.3亿美元,同比持平,环比增长4.2%,符合前期指引;H1毛利率同比下降1.3个pct至31.6%,Q2毛利率31%,超出此前30%的指引;H1产能由去年同期的17.2万片/月上升至17.5万片/月,资本开支由1.156亿美元增加至3.333亿美元。Q3指引:营收2.38亿美元(同比-1.33%,环比3.48%),毛利率31%(同比-3pct,环比持平)。

点评:上半年营收实现同比增长,Q2业绩向好;产能利用率回暖,预计下半年业绩好于上半年。

受较高库存的影响,2019H1晶圆代工普遍表现不佳,而公司在H1能实现2.5%的同比增速(主要由于销售均价上升),其供应链管理能力、销售策略灵活度及特色工艺优势可见一斑。Q2毛利率由于折旧成本上升,环比同比均下滑,但也超出前期指引1个pct,主要是由于产能利用率的回升超预期,回到了90%以上。对于产能利用率的回暖、上半年产能的提升及资本开支的翻倍增长,我们认为主要是模拟与电源管理部分需求的大幅增长(Q2收入环比增长近41%)及分立器件(超级结、IGBT、通用MOSFET)和未来智能控制应用趋势带来的MCU需求增加所带来对特色工艺需求的提升,相关成果有望在下半年的业绩上体现。公司基本面持续向好,预计下半年的表现好于上半年;同时考虑到产业复苏的趋势和目前相对较低的PB,我们坚定推荐。

分立器件及MCU为公司业绩持续增长提供强劲动力。

新能源汽车产量进一步提升和汽车的智能化程度提高,分立器件&MCU特色工艺需求稳定增加。分立器件方面,公司产品结构优化,单价上升:高压功率分立器件(DT(深槽)-SJNFET、IGBT等)产能配比增加,其中DT(深槽)-SJNFET产能创新高。MCU方面,因应未来智能控制应用趋势造成MCU需求的增加,公司持续推动对嵌入式NVM技术的优化与业务拓展,2019H1嵌入式闪存MCU出货及平均单价同比均增长;同时,0.11微米嵌入式闪存MCUNTO(新产品)数量也持续强劲增长。我们预计随着新能源汽车的渗透和汽车智能化技术未来的提升,分立器件及MCU未来需求持续增长,为公司特色工艺需求注入强劲动能。

5G、物联网带来特色工艺长期持续性需求,公司具有技术优势。

从长期看,5G的落地和物联网的普及,下游终端如手机、白色家电等对于采用特色工艺为主的射频器件、功率IC、OSD产品会有长期持续性的需求,而新技术和新场景的出现也会对相关产品的性能有更高的要求,特色工艺的可作为空间很大。公司目前55纳米逻辑与射频CMOS技术、90纳米嵌入式闪存技术与90纳米BCD技术前期研发顺利,不断造就技术护城河,在把握新技术带来的机会上有一定的技术优势。

华虹无锡项目如期进行,产能与洁净室已完成建设,有望在Q4试生产。

公司根据市场研究与技术评估情况,通过了开发12寸功率器件工艺方案,确定了华虹无锡12寸项目IC+Power的规划。如前期规划,公司洁净室在Q2已通过认证,且大部分设备已移入装机,第一批1万片产能所需的大部分机器设备已经搬入,目前正处于安装和测试阶段。将于本年Q4试生产12英寸晶圆,开始产能爬坡。12寸功率器件工艺、产能与技术的提升可使公司更好的服务国内与海外客户,扩大公司在功率器件,特别是中高压功率器件的行业领先优势。受较高库存的影响,上半年产能利用率整体不高,将对19-20年EPS的预期从1.3、1.7港元/股略微下调至1.17、1.53港元/股;基于分立器件及MCU良好的预期,公司领先的特色工艺技术和新项目进度,维持“增持”评级。

风险提示:分立器件/MCU需求不及预期;12英寸项目未能如期量产;中美经贸关系不确定性

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