本文来自微信公众号“半导体风向标”，作者西南电子陈杭。原标题为“干货！镁光（存储芯片）19Q2业绩会纪要 | 半导体风向标”。
美光科技公司(纳斯达克股票代码：MU)2019年第二季度业绩电话会议2019年3月20日东部时间下午4:30
公司参与者
Farhan Ahmad - 负责人
Sanjay Mehrotra - 总裁兼首席执行官
Dave Zinsner - 首席财务官
Sanjay Mehrotra
尽管行业环境充满了挑战，美光公司在第二季度表现非常好，取得了可观的业绩、健康的盈利水平和自由现金流，我们通过增加现金头寸和总流动性继续优化本季度的资产负债表。虽然我们预计短期内会出现行业逆风，但我们会继续增加和多元化我们的产品组合，提高我们的成本竞争力，为在这种环境下变得更强大打下基础，无论是在财务上还是在运营上。
首先，我想回顾一下美光战略的两个重要支柱:提高成本竞争力和在投资组合中增加高价值的解决方案。我们的战略为我们提供了巨大的机遇，同时也使我们能够更好地应对近期的逆风。从2016财年到2018财年，针对这一战略的强有力执行使我们的年度盈利提高了60多亿美元，尤其与同期竞争对手相比，我们的EBITDA利润率提高了15%以上。
我们预计本财年的成本降低将会取得进一步的进展，包括DRAM和NAND的成本将实现健康的同比下降。在DRAM中，我们的1Y纳米产量很好，我们预计在2019财年下半年将转换率提高到1Y纳米，我们也在1Z纳米上取得了很好的进展，并开始使用这种技术对产品进行采样。正如我们过去所说，未来的DRAM节点转换需要额外的工艺步骤和更多的晶圆厂洁净室空间。因此，除了之前宣布的扩建广岛工厂外，我们还开始为台中工厂的洁净室扩建做准备，以便将现有的DRAM晶圆产能转移到未来的节点，我们仍在最后确定时间，但预计将会在2021年的某个时候生产。
在NAND，我们在第二财政季度实现了96层3D NAND的生产，是我们历史上NAND产品中产量增长最快的。除此之外，我们也在开发第四代3D NAND上取得了良好的进展，它使用了我们的替代栅极技术。鉴于浮动栅极对替换栅极转换的初始资本要求很高，预计第一个替换栅极节点将提供有限的成本降低，因此我们计划在选定的NAND产品中部署此节点，其余的产品组合将在以后进行转换到替换栅极的第二个节点。在我们转换产能时，这种方法将优化我们的NAND资本投资的投资回报率，我们替换栅极架构将允许我们提供性能改进，并为我们提供一个有效的途径来扩展未来几代3D NAND。考虑到替换栅极第一个节点的初始部署有限，我们预计2020年的NAND bit供应增长将低于行业需求水平，我们计划利用具有成本效益的浮动栅极的库存位置来满足客户需求。
2019财年上半年超过三分之二的NAND收入来自高价值解决方案，高于2018年上半年的55%。这种高价值解决方案组合的增加，再加上我们具有竞争力的成本结构，使我们能够在行业价格大幅下跌的情况下，实现第二财季NAND毛利率在30%左右的高位。
在SSD方面，我们正在向NVMe过渡，同时继续改善我们在SATA的成本状况。在第二财季，我们开始向一家大型PC OEM厂商发货我们的第一个NVMe客户端SSD，该产品具有我们内部设计的控制器，并且我们与其他客户也保持了活跃的合作关系。我们打算在今年晚些时候推出云计算和企业的NVMe SSD，在SATA中，我们在第二财季引入了基于96层3D NAND的消费者和客户SSD。在云市场上，我们结合DRAM和NAND的自定义持久内存解决方案现在已经全面提升，并为我们的云收入做出了贡献。
3D XPoint开发仍在进行中，客户的样品计划在年终之前完成。我们相信3D XPoint技术将成为众多新应用的关键推动因素，尤其是人工智能和数据分析。今年1月，我们行使了收购英特尔在犹他州利希市IMFT工厂权益的选择权，此次收购为我们提供了制造能力和高技能人才，以推动3D XPoint的开发和创新。
尽管存在不利的内存和存储价格，以及高端智能手机销售疲软，但在第二财政季度，我们的收入增长并且毛利率同比增长。我们在移动领域的业绩得益于我们管理的NAND产品组合的增长，其中NAND bit 出货量同比增长逾5倍。由于其业界领先的产能和一流的功耗，我们也看到了对1Y-纳米LPDRAM的强烈需求。
受多摄像头、机器学习、计算摄影和4K视频等功能的推动，智能手机的内存和存储内容继续增长。上个月，三星发布了其优质Galaxy S10 Plus智能手机，具有12g的DRAM和1tb的NAND。在世界移动通信大会上，几家公司宣布推出具有5G连接和可折叠屏幕的新款手机。这些下一代高端智能手机通常将配置8至12g的DRAM和256至512g的NAND，而当前一代高端智能手机将配置4至6g的DRAM和64至128g的NAND，这些趋势可能也会波及到低端手机。我们相信，5G、可折叠手机以及增强虚拟现实领域即将到来的创新，将在未来几年推动内存的持续增长，并会在2020年重新点燃智能手机的销量。
我们也对5G可能在移动领域之外创造的机会感到兴奋，因为它将使真正的机器对机器通信成为可能，并加速数据创建和分析，这是我们业务的基本驱动力。我们预计5G的采用将增加对物联网设备，无线基础设施和数据中心内存和存储的需求，我们的嵌入式和网络业务已经开始从早期的5G基础设施投资中受益。
在数据中心市场，由于过去两年的出色增长，今年对内存的需求有所放缓。需求放缓是持续的客户库存调整以及某些云客户的软件优化的结果。由于我们看到客户的库存状况有所改善，我们预计2019年下半年将恢复增长，支持更高内存密度的新服务器处理器预计将在几个月内推出，这将推动2019年下半年的额外需求增长。在第二财季，我们提前向客户发送了高密度1Y纳米DDR4服务器模块样品，这将使我们很好地受益于这个新的CPU平台斜坡。
在图形方面，我们增加了高性能GDDR6 DRAM的销售额并扩大了我们的客户群，这使我们在2019年下半年实现了更强劲的增长。我们看到GDDR5的客户库存调整幅度很大，预计调整将在今年年中基本完成。
由于对ADAS和先进车载信息娱乐系统的需求不断增长，我们在汽车领域又实现了强劲的季度收入同比增长。在第二季度，我们宣布了几款新的汽车产品，包括与高通公司合作开的发下一代车载信息娱乐系统和5G通信模块。我们还宣布与一家领先的ADAS平台供应商进行新的战略合作，将使用我们全部的内存和存储产品组合。由于先进的信息娱乐系统和自动驾驶汽车的采用，汽车内存和存储内容不断增加，我们预计未来10年，汽车市场将为美光带来强劲增长。
在工业和消费类市场，由于季节性、宏观经济、价格缺陷以及库存调整等原因，我们看到了销售额的下降。我们在视频监控、销售点和工厂自动化应用方面取得了重要的设计成果。在世界移动通信大会上，我们发布了业界首款采用QLC NAND的1TB microSD卡。
在个人电脑市场，由于价格疲软以及其他细分市场的库存缩减和客户端CPU短缺，销售额下降超过25%。我们仍然专注于我们在这个市场的成本竞争力，超过三分之二的PC DRAM bit出货量来自我们先进的1X和1y纳米技术节点。
关于DRAM行业前景，自上次财报电话会议以来，DRAM价格下跌幅度超过预期。我们对2019年的需求前景预期有所下降，主要原因是客户库存水平有所上升，多家企业OEM客户的服务器需求减弱以及CPU短缺率低于预期，我们认为宏观经济的不确定性也导致了一些客户购买行为的犹豫不决。正如在上一次财报电话会议上讨论的那样，我们仍然预计在第三季度DRAM bit出货量将开始增加，2019年下半年需求增长将会加强，因为大多数客户库存可能会在年中正常化。
根据我们目前的观点，我们现在估计2019年的DRAMbit客户需求端增长率将是百分之十几的，其终端需求将高出几个点，此外，我们估计行业供应量应该处于中高位增长。
鉴于客户对DRAM的需求前景较低，我们决定闲置大约5%的DRAM晶圆启动。这一举措将使我们的生产水平接近我们对2019年DRAM行业bit需求增长的预期。我们将继续监测市场，并采取适当行动，确保2019年bit供应增长与需求保持紧密一致。
展望2019财年之后，我们预计bit需求增长将随着移动和服务器需求的改善而加速，特别是，我们预计DRAM bit需求将在2020财年强劲增长，从疲软的2019财年开始反弹。
在行业向64层3D NAND转型的推动下，比特率加速增长，这使得NAND市场仍然供过于求。尽管第二财政季度的定价低于我们的预期，但我们乐观地认为，需求弹性和季节性趋势将支持下半年需求增长的改善。我们预计2019年NAND bit需求增长可能在30%左右的范围内，行业供应增长在30%以上，我们的目标是我们的bit出货量接近行业bit需求的增长率。我们一直在谨慎管理NAND bit供应增长，包括调整我们的资本规划和晶圆产量。我们一直在谨慎地管理我们的NAND bit供应增长，包括调整我们的资本计划和晶圆产量。我们的NAND晶圆启动总量减少了约5%，主要是通过减少我们的遗留节点。
鉴于DRAM和NAND行业状况的这些变化，我们已经减少了2019财年的资本支出，并且正在评估2020财年的资本支出。我们正在采取审慎行动来应对当前的市场状况，同时也在执行我们的长期战略目标。
Dave Zinsner
美光第二季度财报结果在我们的指引范围内，因为我们在市场状况略逊于预期的时期表现良好。本季度，我们向股东返还了资本，通过首次发行投资级债券，改善了成本结构，并优化了资产负债表。此次发行的大部分收益用于赎回我们未偿还的大部分可转换票据，从而减少我们的全面摊薄股票数量。
第二财季总收入为58亿美元，比去年下降21%，比第一季度下降26%，收入反映出DRAM和NAND的价格趋势低于预期。
DRAM收入同比下降28%，比第一季度增长30%，占第二季度公司总收入的64%。与上一季度相比，DRAM ASPs下降了20%左右，而出货量也下降了两位数。与去年同期相比，DRAMbit发货量下降了5%。
NAND收入同比下降2%，环比下降18%，NAND收入占第二财季公司总收入的30%。我们的总NAND ASP下降在20%左右，与上一季度相比，发货量增幅在个位数以上，由于来自一个大客户的需求，NAND bit的出货量超过了我们的预期。
按业务部门划分的收入趋势：计算和网络业务部门的收入为24亿美元，同比下降35%，环比下降34%。销量的连续下滑是由主要细分市场的定价以及销量下降推动的，尤其是在图形、云计算和个人电脑领域。
移动业务部门或MBU的收入为16亿美元，同比增长3%，比创纪录的第一季度下降27%。由于季节性和定价较低，成交量较上年同期有所下降。尽管目前的市场状况不乐观，由于我们的NAND管理产品的强劲增长，MBU的收入同比增长。
嵌入式业务部门的收入为8亿美元，与去年同期相比下降了4%，比创纪录的第一季度下降了14%。尽管汽车销售疲软，但汽车业务仅略低于创纪录的第一季度财报，由于价格下降和DRAM销量下降，其他嵌入式收入环比下降。
最后，存储业务部第二财季收入为10亿美元，同比下降19%，环比下降11%。SSD销售额下降推动了连续下滑，部分抵消了增加的组件收入。
第二财季的综合毛利率为50%，而去年同期为58%，第一季度为59%。第二财季业绩包括3D XPoint未充分利用成本的持续影响，约为160个基点。DRAM和NAND的定价均弱于预期，但成本削减计划的强劲执行使得毛利率在我们的指导范围内。
第二季度财务运营支出为8.18亿美元，处于我们引导区间的高端。OpEx计入了3,700万美元的一次性工具减损成本，这在我们的指导中没有预料到。排除这些损失，OpEx将出现在我们指引的低端，我们仍然将专注于控制我们的开支，同时投资于未来的产品和技术。
我们在第二财季实现了稳健的盈利，营业收入为21亿美元，占收入的36%，利润率同比下降了13个百分点，比第一财季也下降了13个百分点。
第二财季的税率约为8.3%，我们现在预计2019财年的税率约为10.5%。
第二季度非GAAP每股收益为1.71美元，低于去年同期的2.82美元，低于上一季度的2.97美元。
关于现金流和资本支出：在第二财季，我们从运营中获得了34亿美元的现金，占收入的59%。
资本支出(扣除第三方捐款)约为24亿美元，与上一季度相比持平。我们将2019财年的资本支出目标从我们先前的90亿美元至95亿美元的预期范围下调至约90亿美元，在我们管理当前环境的同时，保持对我们战略重点的投资。正如我们之前提到的，今年我们的资本支出的很大一部分将用于洁净室建设、装配和测试操作，这对我们的bit供应增长没有贡献。2019财年晶圆厂设备支出较去年有所下降，主要目标是将20纳米DRAM和32层3D NAND迁移到更先进的节点，不增加新的晶圆产能。对这些技术转型的投资提供了令人信服的成本降低和非常有吸引力的投资回报率。正如我们在过去两个季度所展示的那样，我们在资本支出方面仍将根据业务状况保持灵活。
在第二财季，我们调整后的自由现金流(定义为运营现金流减去净资本支出)约为10亿美元，而去年同期为22亿美元，第一财季为23亿美元。我们将该季度约70%的自由现金流用于我们的股票回购计划，我们在第二季度回购了大约7亿美元的股票，代表2100万股。
在2019财年上半年，我们以25亿美元的价格回购了6300万股股票，利用了上半财年76%的自由现金流。我们继续将股票回购视为对资本的有吸引力的使用，并继续致力于按照我们目前的100亿美元授权，每年至少部署50%的自由现金流用于回购。除了回购，我们还取消了第二季度结束后的2043股转换，按当前股价计算，这实际上降低了我们的全面摊薄股份数量约900万股，这些转换的基础股票数量为3500万股，这可能会导致随着我们股价的上涨而出现更大的稀释。
本季度库存收入为44亿美元，高于第一财季末的39亿美元。我们的第二季度存货周转天数为134天，而第一季度为107天。我们今天宣布的有关减少供应的行动，加上客户需求的改善，将开始解决我们较高的库存水平。
我们在第二季度结束时处于强劲的流动性状态，净现金为30亿美元，流动资金总额接近120亿美元。总现金增加至92亿美元，主要是由于我们发行18亿美元债券。本季度我们的债务头寸增加21亿美元至62亿美元，主要是由于债券发行和承认溢价相关的G系列可转换债券的赎回。在季末，我们使用14亿美元现金完成可兑换票据赎回，从而使我们的GAAP债务余额减少约11亿美元。
1月14日，我们行使了看涨期权，收购了与英特尔合资的IMFT，我们预计将在2019财政年度末或2020财年上半年完成交易。这笔近15亿美元的交易还将使美光资产负债表上10亿美元的合资相关债务得到偿还。由于我们已经在财务报表中整合了IMFT的结果，因此我们预计不会对我们的近期业绩产生重大影响。
我们的市场前景：DRAM和NAND市场正在解决供需失衡问题。我们的知名度仍然很低，近期环境仍然充满挑战。虽然整个行业的资本支出减少，但由于交货时间的原因，它们尚未影响产量的增长。我们预计DRAM bit出货量将在第三季度连续增长，并在第四季度以更高的速度增长。在NAND，我们预计由于发货的时间安排，第三财季bit发货量将出现小幅环比下滑，预计第四财季将恢复增长。我们今天宣布的DRAM和NAND的产量削减，加上我们今年迄今宣布的15亿美元资本支出削减，也将有助于减少今年下半年DRAM和NAND的供应。
考虑到这一点，我们针对第三财季的非GAAP指导如下：我们预计收入将达到48亿美元，上下浮动2亿美元; 毛利率在37%至40%之间; 运营费用约为7.85亿美元，上下浮动2500万美元。根据约11.4亿股全面摊薄股份的股票数量，我们预计每股盈利为0.85美元，上下浮动0.10美元。
最后，美光将继续执行我们的主要计划，增加高价值解决方案的组合，改善我们的成本配置和投资于新的和创新的产品。我们坚实的财务基础、强劲的流动性和大幅降低的杠杆率意味着，尽管近期市场状况不佳，我们仍处于投资未来的有利地位。
Sanjay Mehrotra
为应对短期行业状况，我们采取果断行动，减少供应增长，以符合行业需求。与此同时，我们将继续投资并执行我们的战略重点，以降低成本并增加我们产品组合中高价值解决方案的组合。美光的长期需求趋势仍然非常健康，多个市场都有巨大的增长机会。我们相信，随着需求驱动因素的多元化和供应增长能力的放缓，存储器行业将在结构上更加强劲。美光凭借强大的资产负债表、完善的产品组合和运营模式，比以往任何时候都更有能力为股东赢得长期价值。
Q&A:
Q：
就存货周转天数而言，我们的最新进展如何?如果情况变得更糟，你觉得资本支出可以降低多少?
A：
首先让我谈谈我们的库存，正如我们所指出的那样，我们的存货周转天数目前为134天，且正在发生一些动态变化。在我们上个季度谈到的DRAM中，我们预计在上半年会有更高的库存水平，因为我们的客户已经建立了库存并开始消化。除此之外，我们也减少了我们的资本支出，削减资本支出的结果应该会在下半年开始产生影响，从bit的增长来看，这也将开始帮助管理库存。最重要的是，本季度我们还讨论了进一步削减资本支出，将其削减至约90亿美元。大约5%的未充分利用的种类进一步减少了产量，这应该有助于将DRAM库存恢复到更合理的水平，我们希望在下半年看到DRAM处于一个更好的位置。
显然，在NAND方面，我们的库存水平也处于较高水平,这在某种程度上是有意为之的，我们确实在NAND中经历了从浮动栅极到替换栅极的过渡，时间是2020年。因此，bit输出不会非常大。我们的想法是在2020年实现更高的库存水平，以便支持最终客户的需求。
部分资本支出减少确实会影响NAND。而且，我们确实将晶圆输出调整了5%，同时也尝试管理NAND库存。因此，我认为，随着我们开始研究库存的NAND部分，库存将在下半年开始增加，然后一直到2020年。
我们致力于将资本支出占销售额的比例保持在30%以下。显然，有些年份会高于平均水平有些年份会低于平均水平。我认为，在过去的两年，即2017财年和2018财年，我们均低于30%。因此，在这几年中，略高于30%的水平并不奇怪。另外，最重要的是，我们有一些被压抑的需求，需要一些洁净室来管理这些节点转换。所以我们今年有很多不同的洁净室扩建计划，这可能比我们正常的运行速度稍微提高了一点。但是，从长远来看，你会发现我们处于这个低30%的水平。我们对资本支出是灵活的，我们会根据经济情况对其进行调整。
Q：
关于超大型运算服务器呢?
A：
关于超大型运算服务器，我们确实希望库存管理在今年上半年应用我们的客户系统运行，这项工作在今年年中将基本完成。我们预计DRAM的增长将会加速，无论是连续增长还是同比增长。就需求改善而言，下半年的需求会比上半年有所改善。当然，也有CPU短缺的影响，这些情况将在一年内继续改善，这也将有助于下半年需求的改善。
Q：
我想问关于本季度实际关闭一些DRAM产能的决定背后的一些细节。上个季度，您谈到了扁平化成本曲线如何实际上增加了持有库存的使用寿命，这似乎是一种回归。而且考虑到你认为DRAM市场并不足以影响整体供需，这实际上取决于韩国人在做什么。你为什么决定关闭一些产能?
A：
大约150天的存货周转天数是适宜的，当我们真正看到我们的需求和我们的产量时，我们认为让供应与今年的预期需求保持一致非常重要。它在更有效地管理我们的库存，有效管理我们的现金流以及以健康的方式真正管理我们的业务方面为我们提供了明显的好处。当然，我们的库存成本很高，这个库存根本没有过时的问题。但是，这是在审慎的管理我们的业务，使我们的供应增长符合我们的需求预期。 将产生的未充分利用成本不会增加我们的单位成本，它们将被视为该季度的期间成本，并且隐含在我们第三财季的37%至40%毛利率指引中。
Q：
您解释了为什么在2020财政年度，当进入第四代时，NAND bit的行业增长将会不足。我想知道您是否可以帮助我们理解它的成本含义是什么。您的NAND成本曲线是否会受到负面影响，或者到2020年，你是否能够从96层的技术和更受管理的NAND的产品组合中获益?如何看待2020财政年度的成本?
A：
我们的成本状况在2020财政年度将是良好的，因为今天我们的64层和96层技术在芯片级别上的表现绝对优于行业每GB的成本。这些好处来自于芯片架构下的CMOS，这是微米首创的，我们现在正在使用第三代CMOS。因此，这为我们带来了非常显著的成本优势，并将继续保持良好状态，在2020财年为我们提供具有竞争力的NAND生产组合，以满足市场需求。第四代3D NAND将成为替代栅极技术的第一个节点，即使层数较多，但实际上也会有更大的资本密集度，因为从浮动栅极到替换栅极的过渡需要更多的更具体的独特工具来实现替代栅极。这就是我们真正将部分产品转换为第一代替代栅极技术的原因。然后，产品组合的其余部分将从第三代浮动栅极转换为替换栅极的第二个节点。这样做将为我们带来更大的好处。与第一个节点相比，替换栅极的第二个节点将具有更高的层。因此，这将为我们带来在成本和投资回报率方面的好处，这将是我们管理这种转变的最佳方式。我们仍然相信明年将实现的浮动栅极和替换栅极技术的组合带来的成本竞争力。
Q：
您能不能解释一下，当你降低晶圆速度时，我们应该如何考虑它对你的成本结构的影响?然后，当你开始重新开始时，我们应该如何考虑这种影响?
A：
底线是我们正在减少DRAM和NAND的产出。在DRAM中，由于供应增长的减少，产生了闲置产能，晶圆开始空转，这会造成更大的影响。在NAND中，当我们减少晶圆速度时，特别是与遗留节点相关的晶圆时，对供应bit增长的影响较小。
这些目标的目的是降低我们的供应增长，使我们能够从2019年和2020年的时间框架的角度来估计DRAM和NAND的需求。我们在降低成本方面继续表现优异 - DRAM成本同比降低。NAND中，我想补充之前关于成本定位的评论，明年我们还将继续从96层过渡中获益，从64层过渡到96层，这是明年正在进行的过渡，这也将帮助我们降低成本。我们在DRAM和NAND的成本方面具有竞争力，减产的好处不仅仅是成本方面，也包括库存管理和现金流管理。
Q：
当客户需求疲软时，你可以通过增加库存来抵消制造业需求的下滑，这点你在第二财政季度就做到了。但是现在你降低了产量，这将会花费更多的时间。那么，您预计5月季度库存实际上是否会在今年下半年开始下降之前走高?
A：
相比于今天，5月季度的库存可能略微提升。我们在第一个财政季度削减了大部分资本支出，这确实会花费几个季度的时间，我们应该会在今年后半年有所体会。因为我们提到的原因，NAND将需要更长的时间，保持较高的库存水平到2020年。
Q：
你的行业前景大部分是基于对几乎所有目标市场，PC，客户端云，移动设备等的下半年改进的看法。考虑到价值链和交付时间，我们是否应该预期，您的客户下半年的复苏将推动您的NAND和DRAM业务在第四财季出现拐点?
A：
今年下半年，我们确实预计DRAM的bit增长将继续保持季度环比增长，无论是连续还是同比增长。我们正在指导我们的FQ3的DRAM增长，并且这应该在FQ4和今年剩余时间继续。在NAND中，当然还有下半年的季节性因素影响。当然，我们预期弹性效应也有助于提高需求。
DRAM和NAND智能手机的平均产能增长趋势仍然不变。当您查看某些云服务提供商报告的结果时，这些结果仍然是可靠的，这表明了需求和云服务的增长。当然，内存和存储是未来所有计算范式的重要组成部分，这些范式越来越多地基于AI和ML。所有这些都预示着长期需求趋势。但是在我们所有的终端市场中，我们确实看到下半年与上半年的需求普遍改善。所有这些都排除了宏观经济的不确定性。如果微观经济层面有任何进一步的变化，可以对这一前景产生不同的影响。
Q:
在DRAM中，你的成本仍然远远高于现金成本，但你却在闲置产能。显然需求比你预期的要糟糕得多。如果你对下半年的需求回升如此乐观，为什么现在要减少开工率呢?我知道这和库存有关。
A：
今年到目前为止需求一直疲软，我们预计上半年需求环境也将疲软。当我们谈论我们对DRAM总需求的增长预期时，我们正在谈论全年的基础。当你看到我们的供应增长时，当然，我们也在考虑全年的情况。因此，我们希望使我们的供应符合我们的需求预期，我们相信，与上半年相比，下半年的需求环境有所改善，我们将能够通过我们之前提到的削减供应来从中获益，同时也有助于我们持续推动库存状况的改善。
Q：
你已经把DRAM的成本同比降低了百分之十几，而NAND的成本同比下降了百分之二十几。似乎这些行为最终会影响你基于该水平继续降低成本的能力?
A：
我们预计今年DRAM和NAND的成本都会出现下降。特别是在DRAN中，我们明年仍在进行技术转型。替换栅极可能不是我们第一代想要的。但是我们现在库存的优势之一是64层和96层的库存明年会有一个很好的成本结构。因此，我们在2020年也应该在NAND上拥有良好的成本结构。
周期成本的意思是，我们把这些费用计入季度利用率不足中。它不会在库存中汇总，也不会被计入成本的一部分。但会对利润率产生影响。这在我们给出的第三财政季度的利润指引中有所暗示。
在NAND上，96层仍处于生产的早期阶段，并且随着我们推出第一个替换栅极节点，它将在明年继续发展。因此，96层也将继续成为我们2020年降低成本的强大推动力。
Q：
我知道你的晶圆开始怠速会减慢你的bit供应，您是否预期您的投资组合会向某些终端市场或新技术节点转移，从而影响下半年的bit供应?
A：
在管理我们的生产组合方面，我们非常关注这一点，我们在生产中持续这样做。而且，当我们在NAND和DRAM中实施这种产量削减时，显然我们要确保我们在各方面没有影响到我们满足需求的能力。目前我们的库存水平很高，包括NAND和DRAM。这使得我们有机会使我们的生产符合需求，满足所有终端市场的需求。我们要减产，因此我们在满足客户在任何最终细分市场的需求方面都处于低水平，我们认为这是我们管理业务的一种非常谨慎的方式。
Q：
NAND的需求弹性还没有开始显现。那么，你能不能阐明一下产品组合中NAND和DRAM的设计案将如何支持下半年的复苏?
A：
由于NAND的弹性，笔记本、PC的平均产能以及SSD与笔记本的连接速率都会继续上升。因此，这也是一个价格弹性的市场。当然，NAND有吸引力的价格在数据中心市场以及客户市场中都提供了更大的HDD替换的好处，移动电话势必会继续指向与NAND有关的弹性。在世界移动大会上，宣布了智能手机、折叠式手机和5G手机将拥有512GB和TB的存储容量。此外，应用程序不断开发的功能也需要更大的存储空间，例如，具有更强的连接性以及低延迟的5G会带来需要更多DRAM和NAND的驱动应用。
应用程序-终端市场应用程序做得很好，Micron本身在产品组合方面非常专注于继续扩大我们的产品供应，我们也在SSD方面用NVMe解决方案扩展我们的产品组合。我们刚刚将我们的第一个NVMe客户端推向市场，今年晚些时候，我们还将为企业和云应用程序提供NVMe。我们获得了资格认证，并刚刚开始通过向我们的NVMe客户发货，第一代NVMe客户端也是如此。所以，这些都是我们在扩大机会时十分关注的事情。当然，在过去几年中，我们对其中一些解决方案做了很多改进。在扩大SSD以及在NAND增加移动机会方面，我们还有很多要做的，在过去几个季度中，我们获得了一定的份额。但是，我们仍需要更多的机会，仍有更多需要做的事情。
Q：
我对客户的时间安排很好奇，这仅仅是季度之间的时间安排还是说这更多的是一种战略，因为本质上是多季度的?然后，你能不能详细说明一下你在下半年设立的数据中心，看起来订单并没有回升，是什么让你有信心在第三季度看到这样的开始呢?
A：
关于第二个季度的需求时间是大客户特定需求的时机，这与NAND有关。我们客户的存货水平有所降低，在上半年存货将在很大程度上通过系统自主工作，下半年的需求也会有所改善。而且在最近几周里我们也看到一些新的订单来自某些以前拥有较高库存的客户，如果我们的客户在终端市场特别是云市场的消费继续保持良好，那么这些客户是使用他们的存货来满足的。在接下来的几个月中到今年中，存货将在很大程度上恢复到标准化水平，然后这将为下半年更大的需求提供机会。
Q：
我对5月季度的库存感到好奇。根据资产负债表，上个季度存货周转天数达27天。
A：
我们的存货确实增加了，我们预计DRAM将在第三财季继续增长。因为费用和资本支出同时减少，或者是资本削减已经实施，促进了产出的增长。我们将在第三季度开始从中受益，并且预计下个季度存货将再次上升。不过，许多积累了存货的客户将开始恢复正常。他们将再次向我们下更大的订单，在第三个和第四个年度，我们将开始看到DRAM库存水平的降低。
