智通财经APP获悉，国泰海通发布研报称，根据DRAMeXchange 4月报告，通用NAND(128Gb 16Gx8 MLC)平均报价已环增9.61%；DRAM方面，25Q1下游品牌厂大都提前出货因应国际形势变化，有助于DRAM供应链库存去化。预计Q2一般型DRAM及纳入HBM考虑的DRAM合计价格都将季增3~8%(此前3月预期一般型DRAM跌幅收窄至-0~5%)。2025年初，各原厂均采取更为坚决的减产措施，缩减全年投产规模，有效降低供应位元增长率，有利于快速减轻市场供需失衡的压力，为价格反弹铺定基础。
国泰海通主要观点如下：
预计二季度存储芯片合约价增幅将高于此前3月预期，原厂均开启报价调升
根据TrendForce集邦咨询，NAND Flash原厂自2024年第四季陆续减产，效应已逐步显现。此外，消费性电子品牌商顺应国际形势变化而提前生产，带动需求，叠加PC、智能手机和数据中心等应用领域已开始重建库存，预计25Q2 Blended NAND Flash价格将环比增长3~8%(此前3月预期涨幅+0~5%)。
根据DRAMeXchange 4月报告，通用NAND(128Gb 16Gx8 MLC)平均报价已环增9.61%；DRAM方面，25Q1下游品牌厂大都提前出货因应国际形势变化，有助于DRAM供应链库存去化。预计Q2一般型DRAM及纳入HBM考虑的DRAM合计价格都将季增3~8%(此前3月预期一般型DRAM 跌幅收窄至-0~5%)。
具体至原厂报价而言：1)美光于3月25日宣布涨价，存储器业务领域需求出现了超预期增长；2)闪迪宣布自4月起对其所有渠道和消费类产品的价格进行超过10%的提升；3)三星电子目前正在与全球主要客户协商提高存储芯片价格的事宜，提议价格提升幅度为3~5%。
供给端，存储原厂减产减轻市场供需失衡压力
2025年初，各原厂均采取更为坚决的减产措施，缩减全年投产规模，有效降低供应位元增长率，有利于快速减轻市场供需失衡的压力，为价格反弹铺定基础。存储芯片市场供需结构将有望显著改善，包含原厂减产、智能手机库存去化、AI等因素将推升需求成长，从而缓解供过于求的局面。
需求端，AI+存储推动终端单机搭载容量显著提升
2024年DRAM及NAND Flash在各类AI延伸应用，如智能手机、服务器、笔电的单机平均搭载容量均有所成长。2025年，伴随AI应用端渗透进一步提升，存储单机搭载量将持续成长，存储终端需求有望伴随AI+应用落地实现全面提升。
1)AI手机：DeepSeek降本开源有望推升端侧算存配置，端侧协同将有望迎来大幅增强；2)AI PC：DeepSeek可助力B端私有云部署本地大模型，通过在本地设备上处理数据，从而降低数据泄露风险，C端用户亦将加强在本地的部署意愿，AI PC增长逻辑有望逐步重塑；3)AIoT：端侧应用有望全面开花，AR眼镜渗透进一步增强；4)汽车智能化：智能汽车有望引入开源大模型成为更大的AIoT终端，AI或将深度赋能汽车全生命周期。
风险提示
存储终端价格回升不及预期；AI应用渗透不及预期。
