智通财经APP获悉，据媒体报道，由于需求强劲，三星电子将把第二季度商用固态硬盘价格上调至多25%。全球科技公司大建数据中心，导致对数据中心所需存储设备的需求急剧增加。三星电子还考虑提高商用固态硬盘的产量。中金表示，随着下游手机、PC、服务器等行业需求的逐步复苏以及存储原厂削减产能逐步落地，从3Q23开始，部分大类存储的价格开始触底反转步入上行通道，相关国内外厂商股价均有所表现。站在当前时点，依旧看好行业整体有望维持景气向上趋势，同时建议积极关注各细分产业链赛道。相关标的：中芯国际(00981)、上海复旦(01385)、华虹半导体(01347)等。
据悉，存储器现货价从2023年下半一路上涨，虽然DRAM涨幅不如NAND Flash强劲，大致仍呈现逐月稳定调升的走势，然终端销售需求未见好转，代理端备货需求放缓，DRAM现货价反转下滑，为后续调涨动能带来变量。供应链预期，在供给端强势主导下，存储器价格下跌不易，合约价将持续上涨，虽然原厂希望调高第二季涨幅至10~15%，但经过买卖双方拉锯，预料第二至三季单季涨幅约落在3~8%。
此外，据CFM闪存市场数据显示，今年Flash价格仍在小幅上涨，512Gb TLC Flash Wafer价格年初至今涨幅为13%，DRAM也恢复到去年初的价格水平，DDR 416Gb 3200年初至今涨幅为10%。在原厂价格全面上涨之下，韩国2月半导体出口额同比大增66.7%至99亿美元，创下近76个月以来的最高值，环比1月增长5.8%，连续四个月增长。
其中，存储芯片出口额为60.1亿美元，同比增长108.1%，环比增长14%。另据存储相关的数据显示，2月韩国SSD出口额同比增长了18.4%，这主要也受益于存储价格的上涨。整体来看，存储行情仍处于持续复苏的势头中，成品端与原厂资源供应越紧密，价格涨势越明确。
需求端方面，产品库存仍然偏高，AI需求拉动产品容量增长。
据CFM闪存市场表示，目前服务器内存价格继续上调，LPDDR价格普涨，但渠道DDR资源溢出严重，渠道DRAM库存水位偏高仍需时间消化。部分SSD需求端有回补库存的空间。据TrendForce集邦咨询表示，2024年DRAM及NANDFlash在各类AI延伸应用，如智能手机、服务器、笔电的单机平均搭载容量均有成长，又以服务器领域成长幅度最高，ServerDRAM单机平均容量预估年增17.3%;Enterprise SSD则预估年增13.2%。
供给端方面，原厂谨慎恢复产能，加码扩产HBM产品。
SK海力士表示，无锡工厂通过1a纳米转换实现DDR5和LPDDR5等产品的量产，扩大工厂的产能利用率;铠侠日前也宣布，将重新审视自2022年以来一直实施的NANDFlash的减产计划，酌情增加产量，据称预计到今年3月，该工厂的利用率将恢复到90%左右，具体取决于市场需求。SK海力士在财报中表示，计划在2024年增加资本支出，并将生产重心放在HBM等高端存储产品上。美光科技在近期表示将正式量产业界领先的HBM3E解决方案，美光的8层堆叠24GBHBM3E将用于英伟达H200 Tensor Core GPU，该GPU将于2024年第二季度开始发货。
长城证券指出，随着消费电子产品等下游需求逐渐恢复，存储行业库存消化速度加快;同时，随着下游内存模组厂商库存水位的逐步改善，以及DDR5内存模组的渗透率持续提升，存储价格将有望进一步增长。服务器市场中，AI算力升级带动服务器的CPU迭代并提升GPU需求，带动AI服务器存储容量和价值量较传统服务器数倍增长。在训练型AI服务器中GPU承担大部分算力，算力要求撬动了HBM等新型存储器市场;随着AI服务器需求持续增加，高容量的存储产品需求有望得到进一步增长。
相关概念股：
中芯国际(00981)：公司主要产品及服务为集成电路晶圆代工、设计服务与IP支持、光掩模制造及凸块加工及测试，公司是全球领先的集成电路晶圆代工企业之一，也是中国大陆技术最先进、规模最大、配套服务最完善、跨国经营的专业晶圆代工企业，主要为客户提供0.35微米至14纳米多种技术节点、不同工艺平台的集成电路晶圆代工及配套服务。
上海复旦(01385)：作为国内芯片设计企业中产品线较广的企业，公司的业务囊括了安全与识别芯片、非挥发存储器、智能电表芯片、现场可编程门阵列(FPGA)四大类产品线。2022年公司FPGA业务实现收入7.81亿元，同比增长82.81%。FPGA高速成长主要由于公司亿门级FPGA产品持续放量，同时公司嵌入式可编程PSoC产品已成功量产，在多个客户批量应用。
华虹半导体(01347)：公司主营业务是8英寸及12英寸晶圆的特色工艺代工服务，在不同工艺平台上，按照客户需求为其制造多种类的半导体产品;同时为客户提供包括IP设计、测试等配套服务。主要产品是功率器件、嵌入式非易失性存储器、模拟与电源管理、逻辑与射频、独立式非易失性存储器。公司的功率器件种类丰富度行业领先，拥有全球领先的深沟槽式超级结MOSFET以及IGBT技术成果。
