智通财经APP获悉，来自美国的存储芯片巨头美光科技(MU.US)将于美东时间3月20日发布2024财年第二季度财报，华尔街分析师们普遍预计美光DRAM存储芯片以及HBM存储系统营收的增长速度将有助于美光大幅缩小亏损，同时还将公布该芯片公司为全球AI芯片霸主英伟达(NVDA.US)所供应的绑定新款AI硬件系统的HBM存储的更详细细节。在美光公布业绩前夕，华尔街大行花旗重申对美光“买入”的评级，并将目标价从95美元大幅调高至150美元。美光一年来涨幅高达70%，上周收于93.25美元。
据了解，根据Visible Alpha汇编的华尔街分析师预期，分析师们普遍预计美光2024财年第二季度的收入将达到53.3亿美元，高于上一季度以及2023年同期。数据加上预期的营收增长，该公司预计将录得2.76亿美元(摊薄后大约每股亏损26美分)左右的净亏损，较上年同期高达20.8亿美元(合每股亏损1.91美元)的亏损明显收窄。这两项数据都符合美光提供的季度指引。
来自花旗的知名分析师Christopher Danely上周在一份投资者报告中写道:“鉴于消费电子端的DRAM价格强劲上涨，以及绑定英伟达新款AI 芯片的HBM存储系统售价更高、利润率则远高于DRAM，我们预计该公司将公布高于市场预期的业绩，并将大幅上调2024财年第三季度的业绩预期。”
Christopher Danely重申该机构对于美光的“买入”评级，并将目标价从95美元大幅调高至150美元，意味着未来12个月的潜在上行空间高达60%。此外，分析师Danely预计美光2024财年第三财季的总营收将高达60亿美元，并且环比由亏损转为获利，预计Q3的每股收益约为0.26美元，主要基于HBM存储系统需求激增以及DRAM销售额大幅增加。
Danely目前预计，美光2024财年的每股亏损约为0.58美元，2025财年的每股收益有望高达6.65美元，而此前的预测分别为每股亏损1.29美元和每股收益6.38美元。
美光关键指标之一：DRAM带来的营收
知名研究机构TrendForce近日发布报告称，在2023年第四季度，整个DRAM存储行业的营收规模都处于增长趋势。“这是受美光、三星以及SK海力士等领先全球的制造商恢复库存常态化的努力和战略生产控制行为的推动。”TrendForce在报告中写道。
TrendForce预计，由于价格和销量的持续上涨趋势，全球DRAM行业在第四季度的整体营收增长速度将接近30%。该机构估计，美光在此期间占据了19.2%的市场份额，成为仅次于三星和SK海力士的全球第三大DRAM制造商。
据TrendForce研究，展望2024年第一季度，全球DRAM行业销售额规模预计将增长。针对第一季度的价格预期，TrendForce集邦咨询维持先前预测，DRAM合约价季涨幅约13~18%;NAND Flash则是18-23%。虽然目前市场对第二季整体需求看法仍属保守，但DRAM与NAND Flash供应商已分别在2023年第四季下旬，以及2024年第一季调升产能利用率，加上NAND Flash买方也早在第一季将陆续完成库存回补，因此，DRAM、NAND Flash第二季合约价季涨幅皆收敛至3~8%。
TrendForce预计，第三季进入传统旺季，需求端预期来自北美云端服务业者(CSP)的补货动能较强，在预期DRAM及NAND Flash产能利用率均尚未恢复至满载的前提下，两者合约价季涨幅有机会同步扩大至8~13%。其中，DRAM方面，因DDR5及HBM渗透率提升，受惠于平均单价提高，带动DRAM涨幅扩大。第四季在供应商能够维持有效的控产策略的前提下，涨势应能延续，预估DRAM合约价季涨幅约8~13%。
此外，需要留意的是，TrendForce所预期的DRAM合约价涨幅扩大的大部分逻辑来自DDR5与HBM产品市场渗透率上升，若仅观察单一产品，例如DDR5，仍可能出现季跌，意即今年度的DRAM合约价上涨并非所有颗粒类别全面上扬，而是产品类别逐渐转移之故。NAND Flash合约价季涨幅则预估0~5%。
华尔街知名投资机构Wedbush的分析师们则预计，美光2024财年第二季度的DRAM营收规模将达到39亿美元，高于上一季度的34.3亿美元和2023年第二季度的27.2亿美元。鉴于美光超过75%营收来自DRAM(其中包括HBM带来的营收)，因此DRAM营收规模激增将有助于大幅缩小公司亏损。
来自韩国的存储巨头SK海力士预计存储芯片市场状况已经从第三季度已经开始明显改善，预计2024年价格与销量将大幅改善，与三星电子的乐观预期相呼应。
HBM——有望成为美光的“创收新引擎”
华尔街分析师们普遍预期，美光预计将提供更多有关其为英伟达AI 硬件系统生产的HBM存储系统的更多细节。分析师们普遍预期HBM至少在未来三年内将成为美光营收规模增长最快的细分业务，并且其规模在未来三年左右时间里，有望与DRAM以及NAND这两项美光传统业务相提并论。
美光计划于 2024 年初(大概2月份)开始大批量生产并 HBM3E 新型存储产品，并开始陆续交付，同时还透露英伟达是其新型 HBM存储产品的主要客户之一。此外，该公司强调其全新HBM产品受到了整个行业的极大兴趣，这暗示英伟达可能不是唯一最终使用美光 HBM3E 的大型客户。美光显然对 HBM3E 寄予厚望，因为这可能使其能够领从SK海力士以及三星电子手中不断赢得市场份额，以全面提高公司营收和利润。
根据一些业内人士爆料，美光的HBM3E将支持英伟达搭载HBM3E的新款AI硬件体系——Grace Hopper GH200 超级算力体系(该算力体系配备基于 H100 计算 GPU 和 Grace CPU)，这表明美光在HBM领域的最新进展不仅是技术上的全面突破，也是其与英伟达合作深化的体现。据业内人士透露，英伟达即将发布的基于B100以及H200 GPU的超级算力体系可能也将搭载美光HBM3E。
在此前的财报电话会议上，美光首席执行官Sanjay Mehrotra表示，公司预计“在2024财年将产生数亿美元级别的HBM营收”，并预计强劲的增幅将持续至2025年。
随着美光陆续向英伟达交付HBM3E存储系统，高盛的分析师们表示，该公司可能将扩展到包括AMD在内的其他客户。高盛的分析师们写道：“相信美光在深化与英伟达的合作——即在未来的GPU平台上获得更高的市场份额，以及扩大英伟达以外的客户群方面还有非常大的空间。”
HBM是一种高带宽、低能耗的存储技术，专门用于高性能计算和图形处理领域。HBM堆叠的多个DRAM芯片连接在一起，通过微细的Through-Silicon Vias(TSVs)进行数据传输，从而实现高速高带宽的数据传输。HBM主要用于高性能图形卡、AI加速、高性能计算和数据中心服务器等领域，其高带宽特性，以及极低延迟和高能效比使得处理器能够更快地访问存储空间，大幅提高计算性能和效率。在AI基础设施领域，HBM存储系统搭配英伟达H100 AI服务器系统，以及即将问世的B100和H200等AI 服务器系统使用。
美光HBM3E 模块基于八个堆叠 24Gbit 存储芯片，采用该公司的 1β (1-beta) 制造工艺制造。这些模块的数据速率高达 9.2 GT/秒，使每个堆栈的峰值带宽达到 1.2 TB/s，比目前最快的 HBM3 模块提高了 44%。与此同时，该公司不会停止其基于 8-Hi 24 Gbit 的 HBM3E 组件。该公司宣布，继开始量产 8-Hi 24GB 堆栈后，计划于 2024 年推出超大容量 36 GB 12-Hi HBM3E 堆栈。
知名研究机构Mordor Intelligence预测数据显示，HBM存储产品的市场规模预计将从 2024年的约 25.2 亿美元激增至 2029年的 79.5 亿美元，预测期内(2024-2029年)复合年增长率高达 25.86%。
今年以来，美光股价上涨超13%，截至上周五收盘，过去12个月的涨幅超过70%。本月早些时候，随着分析师们强调该存储巨头在人工智能热潮中的重要地位，该公司股价在今年达到创纪录的历史高点，花旗表示，美光在该机构美股半导体板块的首选标的，主要因该公司受益于AI芯片需求激增带来的无比强劲的HBM存储需求。
