智通财经APP获悉，华泰证券发布研究报告称，上周英伟达破2万亿以后，全球半导体市场如何达到1万亿美元成为热门话题。该行认为，HPC是主要增量，到2030，AI芯片可能会是一颗拥有1万亿晶体管(10x)采用1nm工艺的芯片。在实现1nm芯片的路上，会带动EUV光刻机，先进封装设备在内产业链的发展。
华泰证券观点如下：
背景：2030年半导体市场规模1万亿美元逐渐成为业内共识，关注实现路径
最近包括AMD CEO Lisa Su、Intel CEO Pat Gelsinger在内半导体业内领先领袖都提出，全球半导体市场有望从2023年的5200亿美金成长到2030年的1万亿美金(近1倍的增长，9.8% CAGR)。2月22日, 英伟达业绩超市场预期，带动市值超2万亿美元，成为全球市值第三大公司，全球半导体市场规模如何实现1万亿美元成为市场关注的热点之一。ISSCC(International Solid-State Circuits Conference IEEE)是全球最主要的半导体技术论坛之一，本次论坛上，台积电等的分享为投资人提供了思考这个问题的一些启示。
启示1：数据中心取代手机成最大增量，HPC 2030年占据40%全球市场
本次大会上，台积电认为AI/HPC取代手机成为半导体最大需求，到2030年有望贡献全球40%市场规模。根据彭博一致预期，2023年英伟达、Intel、AMD、Marvell及博通五家HPC芯片领域主要厂商相关业务收入合计为1381亿美金，对应未来7年AI/HPC全球市场有接近2倍成长空间(16.4% CAGR)。当前英伟达在训练芯片占据垄断地位，4Q23在全球份额达60%。推理芯片上呈现百花齐放态势。此外，AI芯片用HBM(海力士、三星等)有结构性增长机遇。
启示2：摩尔定律继续演进，2027年有望达到1.4nm
台积电指出，将在2025年量产的2nm节点采用Nanosheet(GAAFET)结构，未来可能采用三维垂直堆叠的CFET晶体管结构。Intel也表示将在2024年量产的Intel 20A工艺上，引入GAA设计的RibbonFET晶体管架构,2027将量产Intel 14A。IEEE预测，通过微缩数字块区域等方式，到2031年有望实现1.0nm。当前全球7nm及以下的先进制程厂商仅剩台积电、三星和Intel，Intel制定了较为激进的4年5节点技术路线。对于设备企业来讲，该行认为先进制程演进将拉动High NA光刻机(ASML)、刻蚀设备及薄膜沉积(AMAT、Lam、TEL等)、量检测(Lasertec, KLA)等设备用量。
启示3：单芯片晶体管数量增长至10倍，先进封装、硅光等是核心技术
台积电指出：1)基于TSV、混合键合等技术的3D堆叠/SoIC封装，未来可能实现和SoC内部die几乎相同的互联密度，且可将单芯片晶体管数量扩展至10倍达1万亿个；2)整合硅光的CPO封装，将显著提升AI芯片计算能力和解决功耗问题。
Intel指出：下一代先进封装技术的玻璃基板，与现有有机基板相比，具有更好的热性能、物理性能和光学性能，可将互联密度提升10倍。先进封装日益重要的背景下，该行认为背面减薄(DISCO)、键合(Besi、ASMPT)、模塑(Towa、Yamada)等设备将迎来发展新机遇。
风险提示：半导体周期下行，技术研发不及预期的风险。
