智通财经APP获悉，11月9日，业内消息人士表示，存储厂商近期严格控制出货，下游内存模块厂几乎抢不到货，NAND晶圆的报价频率从此前的逐季报价，缩短至如今的逐日报价。此外，三星存储业务亏损持续缩窄，同时预计存储市场有望复苏，预计2024年DRAM需求将增加。国金证券研报指出，存储芯片有望在今年四季度开始价格反弹，开启新一轮上涨周期，存储芯片厂商有望最为受益。相关标的：上海复旦(01385)、中芯国际(00981)、华虹半导体(01347)。
据了解，存储芯片市场中DRAM和FLASH被视为最主要的产品之一。DRAM具有较高读写速度、存储时间短等优势，但单位成本更高，主要用于PC内存(如DDR)、手机内存(如LPDDR)和服务器等设备等。FLASH可分为NOR和NAND两种，NAND数据密度大，体积小，成本较低，NAND FLASH被广泛用于SSD、eMMC等高端大容量产品，NOR FLASH则主要用于智能穿戴、汽车电子等领域。
因存储市场非常庞大且细分，当前价格上涨带来的反应处于分化之中。据研究机构TrendForce近期报告，自第四季起DRAM与NAND Flash均价开始全面上涨，预计DRAM第四季度合约价将止跌回升，涨幅为3-8%；NAND Flash第四季合约价有望全面起涨，涨幅约8-13%。
近日，半导体业内多位消息人士消息称，三星本季度将NAND Flash芯片报价调涨10%至20%之后，已决定明年一季度与二季度逐季调涨报价20%，此举远超业界预期。另有内存供应链消息人士透露，存储业界排队采购热度不减，DRAM和NAND现货价格仍在上涨。
而就在近期，全球最大的两家内存芯片制造商的业绩电话会议似乎也传达了一个信号，即存储芯片行业的疲软需求可能终于触底。
三星电子第三季的营业利润比第二季度增长了262.6%。在此之前，一季度的营业利润比前一季度下降了85.15%，二季度的营业利润比一季度小幅提高了4.68%。SK海力士则在季度报告中表示，动态随机存储器（DRAM）部门在今年前两个季度出现亏损后，第三季度恢复了盈利。
存储模组厂威刚则表示，随着大厂大幅减产效益浮现，看好存储价格从今年四季度到明年上半年一路上涨，明年起更会进入为期二年的存储多头格局，未来二年市场供给将吃紧并出现缺货状况。
TrendForce近期报告表示，预期2024年存储器原厂对于DRAM与NAND Flash的减产策略仍将延续，尤其以亏损严重的NAND Flash更为明确。预估在2024上半年消费性电子市场需求能见度仍不明朗，通用型服务器的资本支出仍受到AI服务器排挤而显得相对需求疲弱，有鉴于2023年基期已低，加上部分存储器产品价格已来到相对低点，预估DRAM及NAND Flash需求位元年成长率分别有13.0%及16.0%。
展望后市，市场也普遍预期“存储芯片拐点已至”。
随着主要厂商控产持续进行，以及原厂、终端与渠道库存去化，叠加终端市场需求复苏，国金证券报告指出，存储芯片有望在今年四季度开始价格反弹，开启新一轮上涨周期。而作为存储芯片的生产者，以及存储市场最为重要的环节，存储芯片厂商有望最为受益。
西部证券表示，2023年以来，国内经济呈现弱复苏态势，虽然电子下游消费需求复苏较为缓慢但逐渐向好发展，部分芯片设计公司库存不断降低，预计半导体设计公司基本面拐点临近。
相关概念股：
上海复旦(01385)：作为国内芯片设计企业中产品线较广的企业，公司的业务囊括了安全与识别芯片、非挥发存储器、智能电表芯片、现场可编程门阵列(FPGA)四大类产品线。公司通过控股子公司华岭股份为客户提供芯片测试服务。
中芯国际(00981)：数据显示，中芯国际2022年晶圆库存量为51.67万片，2021和2020年库存分别为10.44万片，和9.6万片，2022年库存激增为前一年的五倍。2023年半年报显示，中芯国际二季度部分应用于国内智能手机、消费电子领域的客户库存下降，恢复下单，晶圆出货量环比增长，营收也实现环比小幅增长。
华虹半导体(01347)：公司主营晶圆代工业务，专注于特色工艺平台的研发和升级，主要提供功率器件、嵌入式非易失性存储器、独立式非易失性存储器等工艺的晶圆代工及配套服务。
