日前，西安邮电大学新型半导体器件与材料重点实验室的陈海峰教授团队，成功在8英寸硅片上制备出了高质量的氧化镓外延片，这一成果标志着该校在超宽禁带半导体研究上取得重要进展。

近日，中国电科46所成功制备出我国首颗6英寸氧化镓单晶，达到国际最高水平。中国电科46所氧化镓团队聚焦多晶面、大尺寸、高掺杂、低缺陷等方向，从大尺寸氧化镓热场设计出发，成功构建适用于6英寸氧化镓单晶生长的热场结构，突破了6英寸氧化镓单晶生长技术，具有良好的结晶性能，可用于6英寸氧化镓单晶衬底片的研制。

行业分析人士表示，氧化镓是第四代半导体材料，在市场对性能好、损耗低、功率密度高的功率器件需求不断释放背景下，氧化镓市场发展潜力巨大。

氧化镓相关概念股：

新湖中宝(600208.SH)：公司持有杭州富加镓业科技有限公司 22% 股权，富加镓业依托于中科院上海光机所，专注研究新型半导体材料 -- 氧化镓 ( Ga2O3 ) ，目前基于 β 氧化镓的晶体制备及其功率器件开发已取得一定进展。

中新集团(601512.SH)：全资苏州中新园创一期股权投资合伙企业 ( 有限合伙 ) 参股苏州纳维科技有限公司，后者全资子公司上海镓旦电子信息有限公司拥有专利：一种散热性好的 Ga2O3 基金属氧化物半导体场效应晶体管及其制备方法。

航天电子(600879.SH)：全资子公司北京时代民芯科技有限公司的抗辐照 GaN/Ga2O3 的 Cascode 级联增强型功率器件及其制作方法、单片集成 GaN/Ga2O3 的 Cascode 增强型抗单粒子烧毁器件及其制备方法、单粒子效应加固的印刷转移 GaN/Ga2O3 Cascode 功率器件均已进入实质审查阶段。

三安光电(600703.SH)：子公司湖南三安致力于第三代化合物半导体碳化硅及氧化镓材料、外延、芯片及封装的开发，占领第三代半导体核心领域制高点。

深圳华强(000062.SZ)：通过参股泰科天润半导体科技(北京)有限公司间接参股浏阳泰科天润半导体技术有限公司，浏阳泰科天润拥有基于 Ga2O3 耐压耐电流 SiCPIN 二极管的专利。

中国西电(601179.SH)：子公司西电电力系持股陕西半导体先导技术中心是宽禁带半导体领域国家工程研究中心，和宽禁带半导体高端装备与新材料西安市工程研究中心合作氮化镓、金刚石和氧化镓的高端制备装备和半导体材料的研究开发。