智通财经APP获悉，中泰证券发布研究报告称，从半导体细分赛道看，存储板块有望较早复苏，23Q1海力士、美光、三星半导体部门创近十年最大亏损，各家厂商降低产出、推动供需情况改善，且行业具备量价齐升逻辑，叠加AI强驱动，存储厂商有望迎业绩与估值的戴维斯双击。
建议重点关注大陆存储赛道标的：兆易创新(603986.SH)(全球nor第三、大陆存储龙头，Nor+DRAM+NAND全覆盖，DRAM加速布局)、东芯股份(688110.SH)(大陆SLCNAND龙头，Nor+DRAM+NAND全覆盖)、北京君正(300223.SZ)(大陆车载存储龙头)、深科技(000021.SZ)(大陆存储封测龙头，配套长鑫长存存储需求)、普冉股份(688766.SH)(强阿尔法，Nor从小容量向大容量拓展、MCU新增量)、江波龙(301308.SZ)(大陆存储模组龙头)等。
▍中泰证券主要观点如下：
以美光为例，总结上行周期存储板块股价和估值演绎规律。
大陆存储厂商上市时间相对较短，而海外存储IDM厂商已在存储周期浪潮中发展多年，本篇报告以美光为例，复盘历史，寻找在上行周期时股价、估值、盈利性的一般性规律。重点分析美光股价和财务数据，主要是因美光全球第三大存储原厂，DRAM+NAND营收占比达95%+，具有代表意义，同时因采用美国财年口径，季报发布时间较韩国和中国台湾厂商早一个月。
上行周期，股价从低点到高点涨幅超200%，股价和估值极具弹性。
1)股价较基本面提前启动：在库存达高点前，股价提前启动，库存达高点后，股价继续反弹，接着存储合约价微跌或者横盘、基本企稳，后存储价格慢慢抬升，在此期间，股价一直处于上行区间。美光23年3月底展望Q1库存达峰值，但股价在22H2就已提前进入新一轮上行周期，从22H2的低点计算，截止4/21，股价已反弹26%。
2)股价规律：季度营收同比增速先达周期高点，后股价达周期高点。美光23Q1营收触底，展望Q2营收环比持平，距离季度营收同比增速高点仍有较长时间，股价仍处于周期底部位置。复盘历史可见，存储IDM厂商股价从低点到高点涨幅200%+，从高点到低点跌幅40%+。以4/21股价计算，存储IDM厂商股价从22H2低点已反弹20%-40%，根据过往规律，股价上涨空间依然较大。
3)估值规律：在周期底部，美光PB估值仅1倍，而在周期上行时，最高可达3-4倍。
4)盈利弹性：存储IDM毛利率、净利率从低点到高点有20pcts的提升空间。
存储现货价涨跌互现，部分型号出现涨价，部分型号跌幅收窄，出现积极信号。
存储厂商毛利率波动大，主要是因存储价格波动剧烈，跟踪存储价格变化是判断行业景气的重要指标，存储价格分为合约价和现货价，合约价每月更新，现货价每日更新，对市场供需更为敏感。
参考集邦存储价格数据，本轮周期中DRAM芯片中的DDR4、DDR3合约价从高点跌幅约60%，现货价从高点跌幅约70%，均已创历史新低，复盘上轮存储价格反弹，合约价涨幅40%-90%不等，现货价涨幅80%-170%不等，预期上行周期存储价格反弹力度大、反弹时的价格上涨速度快。
4月合约价处于下行通道，DRAM月环比跌幅5%~20%，NAND月环比跌幅0%~3%。4月中旬DRAM部分型号价格在本轮下行周期首次出现上涨，从5/2-5/5的最新现货价格变化看，DRAM的周变化-1%~+3%，DDR5涨价，大容量DDR4止跌，NAND的周变化-3%~0%。
具体来看：1)DRAM：主流DDR516Gb现货价格周涨幅2.28%，自4/21，DDR5已上涨3%，主流DDR416Gb(2Gx8)、DDR48Gb(1GX8)较上周五现货价无变化，利基DDR4、DDR3周变化-1%~0%，基本止跌。2)NAND：MLC周变化-0.09~0%，3DTLC周变化0%，SLC周变化-2.17%~0%。
风险提示：
下游需求复苏不及预期、竞争加剧风险、大陆厂商技术迭代不及预期、中美贸易摩擦风险、第三方数据库数据信息可信性风险、历史规律失效风险、研报信息的更新不及时等。
