浙商证券:下游新应用规模爆发 氮化镓(GaN)器件有望持续放量

200 4月17日
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李佛 意见千错万错,市场永远不错

智通财经APP获悉,浙商证券发布研究报告称,氮化镓(GaN)是最具代表性的第三代半导体材料之一,禁带宽度达到3.4eV。更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、更高的热导率、更高的电子饱和速率及更优的抗辐照能力,使得其在功率器件、射频器件、光电器件领域大有作为。随着5G通信、消费电子、新能源汽车、数据中心等高景气度下游逐步提出更高性能要求,氮化镓有望放量提价。根据Yole预测,2020年全球GaN功率市场规模约为4600万美元,预计2026年可达11亿美元,2020-2026年CAGR有望达到70%。

▍浙商证券主要观点如下:

氮化镓(GaN)是最具代表性的第三代半导体材料之一,禁带宽度达到3.4eV

更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、更高的热导率、更高的电子饱和速率及更优的抗辐照能力,使得其在功率器件、射频器件、光电器件领域大有作为。随着5G通信、消费电子、新能源汽车、数据中心等高景气度下游逐步提出更高性能要求,有望放量提价。

氮化镓衬底制备技术正不断突破,或成降本增效关键点

目前GaN单晶衬底以2-3英寸为主,4英寸已实现商用,6英寸样本正开发。GaN体单晶衬底的主要方法有氢化物气相外延法、氨热法,以及助熔剂法;利用各生长方法优势互补有望解决单一生长方法存在的问题,进而提升GaN晶体质量、降低成本及推动规模量产。

射频电子领域、电力电子领域以及光电子领域为GaN主要应用方向

GaN是目前能同时实现高频、高效、大功率的代表性器件,在5G基站、新能源充电桩等新基建代表中均有所应用。GaN器件是支撑“新基建”建设的关键核心部件,有助于“双碳”目标实现,推动绿色低碳发展。

伴随下游新应用规模爆发,GaN器件有望持续放量

2017年-2021年国内GaN功率器件与射频器件市场规模从9.2亿元/12.1亿元增长至17.6亿元/73.3亿元,CAGR分别为17.6%和56.9%。未来,随着新基建、新能源、新消费等领域的持续推进,GaN器件在国内市场的应用呈现出快速增长的态势。

随着国家政策的推动和市场的需求,GaN器件在5G基站、数据中心有望集中放量,稳定增长。2021年我国5G基站用GaN射频规模36.8亿元。2023年以后,毫米波基站部署将成为拉动市场的主要力量,带动国内GaN微波射频器件市场规模成倍数增长。

GaN器件在“快充”场景引领下,有望随中国经济的复苏和消费电子巨大的存量市场而不断破圈。根据Yole预测,2020年全球GaN功率市场规模约为4600万美元,预计2026年可达11亿美元,2020-2026年CAGR有望达到70%。

GaN器件在太阳能逆变器、风力发电、新能源汽车等方面将随着技术不断进步陆续“上车”。

风险提示

产品研发速度、下游推广不及预期:相关高景气度下游增速放缓,渗透率不及预期:产能受限风险存在:供应链稳定性受脱钩影响较大。

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