一、IGBT市场高速增长，公司有望持续受益
从IGBT下游应用领域的分布来看，新能源汽车、消费电子和工业控制合计占比78%，三大行业占比分别为31%、27%和20%。其中，尤其是新能源汽车是推动IGBT市场高速增长的最主要动力。从月度数据来看，2011年12月中国新能源汽车销量582辆，2022年12月中国新能源汽车销量813842辆，月度同比复合增速高达93.18%。高速增长的新能源汽车产业使得IGBT未来需求空间巨大。根据Maximize Market Research，2021年全球IGBT市场规模55.8亿美元，预计2029年市场规模将有望达到138.7亿美元，年化复合增速12.05%。在IGBT市场高速增长的背景下，公司有望持续受益。
图1：IGBT应用领域占比
资料来源：中国产业信息网
图2：中国新能源汽车销量（月度）
资料来源：WIND
图3：全球IGBT市场规模
资料来源：Maximize Market Research
二、国产替代空间大
全球IGBT市场集中度高，中国厂商市场份额偏低，国产替代空间巨大。根据Maximize Market Rsearch，2018年全球前五大IGBT厂商均为海外厂商，五大厂商市场份额合计占比达67%。其中Infineon英飞凌、Mitsubishi三菱、Fuji富士、ON Semi安森美和Semikron赛米控分别占比为29%、15%、10%、7%和6%。
图4：全球IGBT市场竞争格局
资料来源：Maximize Market Research
三、新品性能优良，业绩改善可期
公司盈利能力的下降主要系新品持续推出研发开支增加所致。2019、2020和2021年连续三年研发开支增速分别达到14.97%、12.58%和20.9%，销售净利率分别为14.33%、14.37%和1.99%。
新品性能优良，未来业绩可期。2023年1月，公司推出最新研发成果：i20系列1700V IGBT芯片组和ST封装IGBT模块。赛晶i20系列1700V IGBT芯片组，基于经典的沟槽栅及场截止芯片结构，采用了窄台面、优化N-型增强层、短沟道、3D结构、优化P+层等多项行业前沿理念的优化设计，具有大功率、低损耗、高可靠性等卓越的芯片性能，代表了国内同类芯片技术的最高水平，广泛应用于风力发电、无功补偿（SVG）、智能电网，以及中高压变频器等领域。ST封装IGBT模块，采用优化布局、三维信号传输等创新设计（已申请专利）实现了出色的模块性能，在同类产品中具有最低的内部热阻、连接阻抗、内部杂散电感等。此外，公司在研两款车规级SiC模块：HEEV封装和EVD封装SiC MOSFET模块。HEEV封装的创新设计，能最大限度的发挥SiC模块的出色性能。EVD封装将推出SiC MOSFET和Si IGBT两个版本，可以满足汽车市场不同需求。
图5：2018-2021公司销售净利率（%）
资料来源：WIND
图6：2018-2021研发支出（万元）及增速
资料来源：WIND
四、投资逻辑
1.IGBT市场高速增长，公司有望持续受益。
2.国产替代空间大。
3.新品性能优良，业绩改善可期。
五、风险揭示
1.业务发展不及预期的风险。公司业务发展不畅将对公司的营收和利润造成不利影响。
2.地缘政治风险。若地缘政治格局恶化，将导致公司收入增速不及预期。
3.政策风险。若公司开展业务的区域出现行业监管政策收紧，则将对公司经营造成不利影响。
4.疫情风险。不同区域的防疫政策存在差异，若公司开展业务的区域疫情恶化，则将对公司的经营造成不利影响。
5.系统性风险。若全球金融市场出现系统性危机，则公司股价将面临大幅下跌的风险。
