SK海力士官宣238层NAND闪存芯片出世 拟于2023年上半年量产

294 8月3日
share-image.png
李均柃 智通财经编辑。

智通财经APP获悉,世界第二大存储芯片制造商韩国SK海力士周三表示,已开发出其最先进的NAND闪存芯片,该芯片由238层存储单元组成,将用于个人电脑存储设备,以及智能手机和服务器。SK海力士称新的238层芯片是最小的NAND闪存芯片,数据传输速度相比上代产品提升50%,读取数据消耗的能量降低21%。此外,该公司准备于2023年上半年开始大规模生产新芯片。

据了解,英特尔(INTC.US)NAND业务被SK海力士收购后更名为Solidigm,它与SK海力士合计占有全球NAND闪存市场的18%,仅次于三星的35.3%和Kioxia的18.9%。值得一提的是,此前美国竞争对手美光科技(MU.US)在上周宣布,已开始出货一款232层的NAND闪存芯片。

相关阅读

芯弦半导体完成数千万元天使轮融资 聚焦汽车与能源领域

8月2日 | 王秋佳

安森美半导体(ON.US)Q2营收同比增长25% Q3业绩指引超市场预期

8月1日 | 马火敏

财报前瞻 | 市值反超英特尔 AMD(AMD.US)业绩能否证明自己?

8月1日 | 马火敏

兴感半导体完成近2亿元增资 或将扩张产品线及发展芯片研发团队

7月28日 | 王秋佳

智联安科技完成数亿元C轮融资 聚焦蜂窝物联网通信芯片研发

7月28日 | 王秋佳