东方财富:予斯达半导(603290.SH)“增持”评级 募资落定 拓产能促增长

76 11月17日
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杨万林

智通财经APP获悉,东方财富发布研究报告称,予斯达半导(603290.SH)“增持”评级,公司是国内IGBT主要供应商之一,预计2021-23年营收为16.5/23.1/30.9亿元,归母净利润为3.6/5/6.8亿美元,EPS为2.08/2.94/4.01元,对应当前股价的PE为213.72/151.62/110.9倍。

事项:公司发布非公开发行股票发行结果公告,发行价格为330元/股,发行数量为1061万股,募集资金净额为34.8亿元,募投项目包括1)高压特色工艺功率芯片研发及产业化项目,所需资金15亿元,建设周期为3年,达产后预计将形成年产30万片6英寸晶圆高压功率芯片生产能力,2)SiC芯片研发及产业化项目,建设周期3年,所需资金5亿元,产能为6万片6英寸SiC芯片生产能力,3)功率半导体模块生产线自动改造项目,建设周期为3年,所需资金7亿元,改造完成后将新增年产400万片功率半导体模块的生产能力。

东方财富主要观点如下:

高压功率芯片、SiC芯片正在行业风口上。

随着节能减排的需求愈发迫切,功率半导体器件下游领域从工控、4C(通信、计算机、消费电子、汽车)领域拓展至新能源、新能源汽车、轨交及电网等,高压功率芯片需求持续增加。此外与传统Si材料相较,SiC具有宽禁带、高击穿场强、高导热率和强抗辐射能力等优势,因此SiC功率器件能够减少散热材料,降低宽带减少器件大小,且提高电池电能转换效率,有助于提升新能源汽车续航能力和空间利用率,2018年特斯拉主逆变器开始采用SiCMOSFET方案,该行认为随着SiC器件生产良率提升,价格将逐步下降,预计会有更多车企开始采用SiC功率器件。

踏浪前行,夯实护城河。

斯达半导作为国内IGBT龙头企业之一,致力于IGBT、快恢复二极管、SiC等功率芯片的设计、制造和测试。公司把握住新能源汽车、轨道交通、智能电网等下游行业的需求以及技术方向,丰富产品结构,提高竞争力。此外公司在SiC方向进展迅速,逐步在机车牵引辅助供电系统、新能源汽车行业控制器、光伏行业推出各类SiC模块,获得国内外多家著名车企和Tier-One客户的项目定点,为未来公司SiC模块销售增长提供持续推动力。另外募投项目有助于抬升产能天花板,抓住目前功率器件供不应求的契机,提高行业市占率。

风险提示:行业竞争加剧,功率半导体景气度下行,产能拓张不及预期。

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