智通财经APP获悉，华创证券发布研究报告，维持新洁能(605111.SH)“强推”评级，保持2021-23年归母净利预测4.36/6.08/8.16亿元不变，对应EPS为3.08/4.29/5.76元。
事件：公司发布非公开发行A股股票预案，拟募资不超过14.5亿元，主要用于：1)SiC/GaN功率器件及封测的研发及产业化，2亿元;2)功率驱动IC及IPM模块研发及产业化，6亿元;3)SiC/IGBT/MOSFET等PIM模块(含车规级)的研发及产业化，5亿元;4)补充流动资金1.5亿元。
华创证券主要观点如下：
从IGBT单管向IPM&PIM延伸，公司成长性日益凸显。
21H1公司借助华虹宏力领先的特色工艺，在IGBT业务上取得长足发展，在光伏、储能等领域与行业龙头客户均展开合作。公司现有产品主要以IGBT单管为主，而此次定增其中11亿元投入IPM模块(6亿元)和PIM模块(5亿元)的研发，有望实现IGBT产品从单管到模块的突破，下游空间大大打开。与此同时，在MOSFET、IGBT之外，公司前瞻布局第三代半导体，应用领域从工业、光伏向车规应用等高成长领域延伸。伴随新产品突破和放量，公司成长性日益显著。
MOSFET向中高压升级，下游代工厂扩产2022年成长动能充沛。
进入21H2，碳中和趋势下光伏发电、新能源电动车加速渗透，带动对MOSFET中高压产品的需求持续上升。新洁能作为国内功率半导体龙头，在屏蔽栅/超结MOSFET等中高压产品上进展顺利，12寸平台的量产料号持续增加，产品高端化深度演绎。
而在产能端，新洁能主要代工厂华虹半导体的12寸线有望从当前产能6.5w片/月，扩至2022年底9.5w片/月，其新增产能中高端功率半导体将占据较大比重，为新洁能MOSFET业务的升级成长提供充分的产能支撑。展望2022年，公司高端MOSFET受益于下游新能源汽车、光伏等领域的强劲需求，有望带动MOSFET业务的稳健成长。
募投资金助力高强度研发，新品密集推出有望打开第二成长曲线。
2020年公司研发投入同比增加近50%，21H1公司继续加大研发力度，研发费用率升至5.24%。伴随高强度研发投入，公司各项新品研发、导入顺利：1)21H1公司在IGBT业务上取得长足发展，在光伏、储能、工控、电动工具、家电变频领域均取得突破，与行业龙头客户均展开合作;
2)21Q2IGBT模块产品出货，创收2624万元，同比增1110%以上;3)12寸1200VIGBT已有五个系列的产品量产，工业变频和逆变的1200VPIM模块、光伏储能的低损耗高频产品形成批量销售，1700V模块通过客户测试。伴随新品开拓，公司第二成长曲线初具雏形。
投资建议：公司为国内功率半导体龙头厂商，正稳步实现从MOSFET到IGBT再到第三代半导体的突破。同时，前期高强度研发投入进入收获期，公司在高端产品上进展顺利，IGBT产品进度超预期。
风险提示：行业景气持续性不及预期，Fabless厂商产能供应受冲击，新品研发不及预期。
