在百年未有之大变局下，为顺应全新的生存环境，中芯国际的整体战略将不得不随之有三大调整：
1、由技术突破为主导->产能扩充为主导
2、由单纯追求先进工艺->回归成熟工艺
3、上游设备材料，由单纯外循环->内外双循环
半导体产业有三种权利：设计权：决定了创新;代工权：半导体三权争夺战的聚焦点;设备权：决定产业链安全和工艺突破
现在全球产业链的趋势是：有设备权的美国/欧洲，正在夺取本土代工权，有市场优势的中国在夺取设计权后，正在争取代工权。
代工权将成为一个国家数字化转型的基石，也是半导体三权争夺战的聚焦点。
一、由技术突破为主导->产能扩充为主导。
中芯国际（00981）承担着三种任务：
1、先进工艺的研发和突破，比如FinFET 14/7nm;
2、存量产能的运营和生产，主要是中芯北京、上海和天津、深圳各个厂区;
3、新增产能的扩张，基于已有量产工艺技术的产能扩张，主要是成熟工艺。
由于种种原因，本应该放在第一优先级的成熟新增产能扩张未能得到充分执行。中芯国际北京合资线几经挫折终于在2020年末正式资金到位，但此时全球已经爆发了以8寸和12寸成熟工艺为主的产能危机。
中国庞大Fabless行业面对全球晶圆厂代工产能的紧张，本土并没有强力的产能后备军，根据中芯国际招股说明书以及IC insight数据，中芯国际的折合8寸片月产能约为40万片，远低于台积电约270万片的月产能，而根据华虹官网数据，国内排名第二的华虹半导体月产能仅有22万片。
未来中芯国际的三大任务中，通过扩产满足国产Fabless需求并提供安全可控的代工服务为第一要务，维护存量产能正常运营为第二要务，至于在先进工艺的突破，这不是公司个体所能及，而是要通盘联合国内半导体设备、材料、IP/EDA厂商一起合作，共同突破的系统性工程。
所以蒋尚义的回归和中芯国际大幅上修成熟工艺Capex，符合这个产业大趋势，是中芯国际面对全新国际形式和条件约束(美国设备的制裁)的正确且必然的选择。
二、由单纯追求先进工艺->回归成熟工艺(“新90/55nm”远大于“旧7nm”)。
中芯国际进入实体名单后，完全基于美系设备的7nm其现实意义远小于基于国产设备的成熟工艺，晶圆代工厂并不是半导体的最底层技术，只是芯片设备、材料、工艺的集成商。中国半导体的主要矛盾已经从缺少先进工艺调教，转移到缺少国产半导体设备、材料。
中国缺少14/7/5nm先进工艺，但是中国同样也缺少13um/90/65/55nm成熟工艺，韦尔豪威的CIS芯片(55/45nm)、兆易创新的NOR(55/45nm)、汇顶的指纹识别(55nm)、卓胜微/思瑞浦/圣邦的模拟芯片(90nm上下)都需要成熟工艺产能。从目前产业看，中国能实现光伏、LED、LCD面板的全面国产替代，成熟制程芯片也能依靠国产设备、材料、工艺进行生产。
美系借助根技术优势将继续打击他国并把持高端制程、先进工艺的芯片制造，并且这种局面短期不会发生扭转。我们预计，低纬度国产替代进程将持续下去，中国将从下而上把持泛半导体技术。在根技术，如设备、材料领域得到长足进步前，先做好成熟工艺回炉再造，再逐步向上攻克先进工艺壁垒，螺旋发展。
回归基于国产设备的成熟工艺再造，是中国半导体当下最现实的任务，完全基于美系设备的7nm其现实意义远小于基于国产技术的55nm晶圆厂。服务好国内这些成熟工艺的fabless，其现实意义也大于客户基础小的多的FinFET工艺。
三、由单纯外循环->内外双循环(去A化，而不是国产化)。
全球科技格局将重新洗牌，呈现逆全球化的返祖状态。即使强如美国也只参与了半导体产业的小部分环节，中、欧、日、美、韩、中国台湾，各自占据了产业链不可或缺的部分。
半导体是一个充分全球化分工的行业，没有哪个国家能单独实现全部内循环，所以半导体行业没有所谓的全链路国产化，而在部分关键领域实现去美化、去A化的基础就是联合欧洲、日本的设备和材料以及韩国、中国台湾省的制造。
而美国以高端制造业为根基，向下补全短板。第三象限指的是日本(材料)、韩国(存储)、欧洲(设备)、中国台湾省(代工)，依靠在细分行业的领先优势，独立在中国、美国内循环外，成为全球硬科技市场外循环的中间介质。
依据自身发展的资源禀赋以及要素分布，将全球硬科技分成三大象限：
第一象限：以美国为主导;
第二象限：以中国大陆为主导;
第三象限：以韩国，日本，中国台湾省，欧洲为主导(中间介质)。
受到外部环境压力，中国的本土Fabless、Fab都面临上游供应链危机，但中国自主发展的道路不会因为外部打压而改变。随着内循环政策提出，未来中国以成熟Fab为根基，跟第三象限进行外循环。
基于全球产业客观规律，我们认为中美在以下环节的科技外循环仍将继续：
1、设备：与欧洲、日本这些“中间介质”进行设备外循环，但是要在美系的ETCH、PVD、CVD、CLEAN、CMP、ANNEAL等领域进行国产设备内循环(北方华创、屹唐、盛美、华海、万业、中微、至纯、精测等);
2、材料：与日本、欧洲这些“中间介质”进行材料外循环(大硅片、光刻胶等)，在各种大硅片、电子气体、电子化学品、溅射靶材等领域进行国产材料内循环(中环、沪硅、立昂、雅克、晶瑞、江丰电子等);
3、IP/EDA：与美国的(ARM、Synopsys、Cadence等)进行软件生态外循环，但是国内也在各种新场景、新应用的EDA和IP领域进行内循环(华大九天、芯愿景、广立微、芯禾科技、芯原股份);
4、Fab/IDM：与韩国的存储芯片、中国台湾省的晶圆代工进行外循环，在国内依靠自建成熟工艺的晶圆厂和IDM继续内循环(中芯、华虹、长存、长鑫、华润微、士兰微、捷捷、扬杰、格科微、集创)。
所以未来中国将维持最低内循环在成熟工艺进行底层根技术(设备、材料、EDA/IP )的自主创新，回顾中国泛半导体发展之路，未来数年，我们认为中国半导体将在尽可能内循环的基础上依赖外循环，实现双循环体系。
本文转自微信公号“半导体风向标”，作者：电子首席陈杭
