智通财经APP获悉，信达证券发布研究报告称，预计中微公司(688012.SH)2021-23年营收分别为31.17/42.39/55.67亿元，归母净利润分别为5.21/6.69/8.81亿元，对应当前股价PE分别为195/152/115倍。公司作为半导体设备行业的龙头公司，随着设备技术的不断突破，具备较强的国产替代确定性，市占率有望持续提升。首次覆盖，给予“买入”评级。
信达证券主要观点如下：
中微公司：半导体设备国产替代先锋。公司成立于2004年，创始团队均为出身应用材料、泛林半导体等国际半导体设备龙头企业的核心技术人员，董事长尹志尧博士曾任应用材料副总裁、刻蚀事业部总经理、亚洲首席技术官，是国际等离子体刻蚀技术发展的重要推动者。公司于2007年成功研制首台CCP刻蚀机，2012年成功研制首台MOCVD设备，2016年成功研制ICP设备，产品线不断拓宽，如今已成为国际领先的CPP和MOCVD供应商。
近年来公司业绩稳健增长，半导体业务占比亦持续提高。2017-2020年，公司营收从9.72亿元增长至22.73亿元，三年CAGR达32.73%。其中，刻蚀设备收入从2.89亿元增长至12.89亿元，三年CAGR达64.61%，2020年收入占公司设备业务比例达71.65%。
公司2020年定增落地，国家大基金二期参与认购。公司定增募集82亿元，加码研发128层以上CCP刻蚀、大马士革刻蚀、7nm以下ICP、3nm以下ALE等项目，大基金参与认购25亿元。
刻蚀：前道工艺核心，国产替代率先突破。刻蚀是前道工艺的核心环节，主流的干法刻蚀工艺包括电容性等离子刻蚀(CCP)和电感性等离子刻蚀(ICP)两种技术路线，是前道工艺中价值量最高的环节。据SEMI数据，2025年刻蚀设备全球市场规模将达到150亿美元。当前市场呈现了巨头垄断的竞争格局，泛林半导体、东京电子、应用材料合计占据了91%的市场份额。2020年以来全球半导体景气度上行，国内晶圆厂在国产替代和缺货涨价双重动力下加速建设，为国产设备厂商带来突破机遇，而刻蚀设备国产化率仍不足20%，替代空间可观。
中微作为国内刻蚀设备龙头，截止2020年，CCP设备装机量达1159台，保持了30%的年均增速，而ICP设备亦已有55个反应腔运行于10位客户的产线。技术自主可控和先进制程能力是公司得以实现国产替代的核心优势，CCP设备已切入台积电5nm产线，技术达到世界领先水平。逻辑芯片的大马士革刻蚀、128层以上3DNAND刻蚀、用于GAA结构的ALE刻蚀等产品也已处于研发中。
MOCVD：GaN外延设备龙头，化合物半导体空间打开：MOCVD指金属有机化学气相沉积，常用于包括GaN、SiC、GaAs、InP在内的化合物半导体外延片制造，面向LED、射频、功率、VCSELS等下游应用。得益于miniLED渗透带来芯片用量增长，上游MOCVD设备迎来需求爆发。中微蓝光LED设备快速成熟，与三安、晶电、兆驰等LED巨头保持良好合作，截止2018年Q4已在全球GaN基MOCVD市场占据70%以上市场份额。用于mini/microLED、功率半导体的设备亦在研发中。
风险因素：行业周期性波动风险;下游客户扩产不及预期风险。
