近日，我国最大的单体投资项目——国家存储器基地项目，在武汉东湖新技术开发区正式动工建设。该项目总投资约1600亿元，主要生产存储器芯片，计划将于2020年全部建成，预计年产值将超过100亿美元，创下我国集成电路存储芯片产业规模化发展“零”的突破。
此次开工的国家存储器基地项目将建设3座全球单座洁净面积最大的3D NAND Flash
FAB厂房、一座总部研发大楼和其他若干配套建筑，其核心生产厂房和设备每平方米的投资强度超过3万美元。
据了解，存储器是信息系统的基础核心芯片，占据整个半导体产业的约四分之一，是半导体产业支柱。但是，存储器芯片市场却长期被美日韩垄断，尤其以韩国三星、SKHynix两家为首，共占据了DRAM市场和NANDFLASH市场70%和50%的市场份额。
国家存储器基地项目建成后不仅有望打破存储器芯片市场的垄断格局，还将带动国内设计、封装、制造、应用等芯片产业相关环节的发展，为行业发展起到推动作用。智通财经了解到，目前港股市场上相关概念股有中芯国际（新）(00981)等股票。
但是值得注意的是，美国或将出手阻扰中国的半导体产业发展。据华尔街日报网站报道，美国总统奥巴马的首席科学顾问将于本月奥巴马离任前公布最后一份研究报告，报告称为国家安全著想，将建议美国海外投资委员会(CFIUS)限制中方在美国国内半导体行业的投资，以保护半导体行业。
美国政府将半导体行业视为国家最关键的行业之一，因为它生产的芯片驱动着智能手机、导弹、卫星和能源网络等关键领域。美国官员担心中国可能会通过资本渗入影响到美国的通信和军事武器系统。