智通财经APP获悉，美国商务部已与美光(MU.US)达成初步协议，根据《芯片与科学法案》向后者提供高达61.4亿美元的直接资金。
这笔拨款将支持在纽约州克莱(Clay)建设两家晶圆厂，在爱达荷州博伊西(Boise)建设一家晶圆厂，到2030年将释放约500亿美元的私人投资，这是美光未来20年在这两个州投资高达1250亿美元的第一步，以建立一个领先的内存制造生态系统。
在纽约克莱，这笔资金将支持计划中的四个晶圆厂的前两个晶圆厂的建设，这些晶圆厂专注于前沿(动态随机存取存储器)芯片生产。每个工厂将有60万平方英尺。4英尺的洁净室，总面积240万平方英尺。这是美国有史以来宣布的最大的洁净室空间
这笔资金还将支持在爱达荷州博伊西的一家大批量制造(HVM)工厂的发展。该设施与公司现有的先进研发基地位于同一位置，面积约为60万平方英尺。一英尺的洁净室空间专注于生产领先的DRAM芯片。
美光计划的芯片制造工厂预计将在未来20多年里创造约7.5万个国内就业岗位。
美国总统拜登今天将前往纽约锡拉丘兹宣布这笔拨款。今天的公告标志着根据530亿美元的《芯片与科学法案》批准的第七份初步合同，该法案旨在促进美国的芯片生产
英特尔(INTC.US)获得了迄今为止最大的拨款，从该法案中获得85亿美元，其次是台积电(TSM.US)，获得66亿美元，三星获得64亿美元。
