智通财经APP获悉，天风证券发布研究报告称，先进封装主要是采用键合互连并利用封装基板来实现的封装技术，应用先进的设计思路和先进的集成工艺，对芯片进行封装级重构，并且能有效提升系统高功能密度的封装，主要包括倒装芯片封装、晶圆级封装、2.5D封装、3D封装等。根据Yole预测，全球先进封装市场规模2026年或达482亿美元，2021-2026年的CAGR约8%，将为全球封测市场贡献主要增量。
相关标的：芯源微(688037.SH)(涂胶显影湿法设备键合机)，中微公司(688012.SH)(刻蚀设备)，拓荆科技(688072.SH)(键合设备)等。
▍天风证券主要观点如下：
封测是半导体产业链重要一环：封装技术分为传统封装和先进封装，两种技术之间不存在明确的替代关系。
传统封装：具有性价比高、产品通用性强、使用成本低、应用领域广等优点;
先进封装：主要是采用键合互连并利用封装基板来实现的封装技术，应用先进的设计思路和先进的集成工艺，对芯片进行封装级重构，并且能有效提升系统高功能密度的封装，主要包括倒装芯片封装、晶圆级封装、2.5D封装、3D封装等。根据Yole预测，全球先进封装市场规模2026年或达482亿美元，2021-2026年的CAGR约8%，将为全球封测市场贡献主要增量。
先进封装四要素：RDL、TSV、Bump、Wafer
具备其中任意一个要素都可以称为先进封装;其中在先进封装的四要素中，RDL起着XY平面电气延伸的作用，TSV起着Z轴电气延伸的作用，Bump起着界面互联和应力缓冲的作用，Wafer则作为集成电路的载体以及RDL和TSV的介质和载体。
晶圆级封装：Fan-in&Fan-out&技术延展
晶圆级封装是指晶圆切割前工艺，所有工艺都是在晶圆上进行加工，晶圆级封装五项基本工艺包括光刻(Photolithography)、溅射(Sputtering)、电镀(Electroplating)、光刻胶去胶(PRStripping)和金属刻蚀(MetalEtching)。
2.5D/3D封装：
2.5D封装：集成密度超过2D但达不到3D，先进封装领域特指采用了中介层(interposer)集成方式，中介层目前多采用硅材料(成熟工艺和高密度互连特性);高密度互联时，TSV几乎是不可缺少的，中介层TSV被称为2.5TSV。
3D封装：指芯片通过TSV直接进行高密度互连，芯片上直接生产的TSV被称为3DTSV。芯片相互靠得很近，延迟会更少，此外互连长度的缩短，能减少相关寄生效应，使器件以更高频率运行，从而转化为性能改进，并更大程度的降低成本。
风险提示：
行业技术进步风险、偿债风险、原材料供应及价格变动风险等。