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美国时间12月20日盘后，美光科技(MU.US)发布FY2024Q1财报。
FY24Q1业绩和Q2指引超预期
FY24Q1(对应23M9-23M11期间)经调整营收47.3亿美元，相较市场预期的45.4亿美元高逾4.2%，同比增长15.7%，环比增长17.9%。盈利方面，Non-GAAP毛利率实现1%，环比增长10pct;Non-GAAP净利润实现-10.5亿美元，亏损较上一季度的11.8亿美元进一步收窄，盈利环比改善主要受益于存储价格上涨和产品组合的推动。FY24Q2指引方面，预计营收在51-55亿美元，其中值相较市场预期的49.9亿美元高逾6.1%;Non-GAAP毛利率预计在11.5%-14.5%区间，大超6.4%的市场一致预期，系DRAM/NAND需求和价格均持续回暖;预计Non-GAAP摊薄EPS为-0.35~-0.21 美元。
PC和智能手机复苏，叠加AI PC和HBM带来新动能，提振24年存储需求
美光预计2024年，DRAM需求有望同比增长百分之中十位数，而NAND需求有望同比增长百分之高十位数，具体终端市场的需求包括：1)智能手机需求展现复苏迹象，美光预计2024年智能手机出货量小幅增长;2)PC方面，美光预计24年出货量的同比增幅在低个位数和中个位数之间;3)AI+终端驱动存储扩容。24年AI PC和AI手机均会量产出货，本地实现流畅运行大型语言模型会对终端设备的存储能力带来更高要求，美光预计终端OEM厂商的新AI PC和AI手机单机DRAM容量均会提升4GB-8GB，认为AI终端趋势将进一步提升存储平均价格;4)数据中心方面，美光预计24年服务器总出货量将出现百分之中个位数的同比增长。特别是GPU和AI加速器等新产品带动HBM供不应求，美光HBM3E将用于英伟达H200和Grace Hopper GH200上，目前已处于最后验证阶段。落地节奏上，美光HBM3E 2024年初量产;公司预计FY24将贡献数亿美元收入;25年HBM相关收入将持续高速增长，且25年HBM市占率将与美光在DRAM的市占率相匹配。
存储寒冬已过、逐步复苏，价格上涨驱动盈利改善
整体来看，存储行业通过严格控制供给，加快复苏进程。去库存方面持续改善，目前大多数客户的库存水平已基本正常，FY24Q1的库存天数约为142天，仅比公司目标库存高22天，美光预计FY24将持续减少库存天数。FY24全年价格上涨，驱动公司收入和盈利提升。FY24Q1期间，DRAM收入环比增长24%，其中价格增长低个位数;NAND收入环比增长2%，其中价格增长20%;美光预计在FY24期间，价格将持续上涨，成为收入和盈利提升的主要推动力。
风险提示：消费电子需求复苏不及预期风险;AI终端落地进展不及预期风险;行业竞争加剧风险。
本文选编自“ 光大证券研究”，作者：光大证券研究所;智通财经编辑：李均柃
