芯片自主可控再迎创新成5G关键材料,中芯国际(00981)14nm工艺即将量产突破在即

阅读量:4598 2月22日
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智通财经APP获悉,从西安电子科技大学芜湖研究院方面传来的消息,作为芜湖大院大所合作的重点项目,国产化5G通信芯片用最新一代碳化硅衬底氮化镓材料试制成功,打破国外垄断。这标志着今后国内各大芯片企业生产5G通信芯片,有望用上国产材料。 碳化硅是制造高温、高频、大功率半导体器件的理想衬底材料,也是发展第三代半导体产业的关键基础材料。
智通财经APP认为,我国及全球5G网络正在大规模建设中。大数据传输、云计算、AI技术、物联网,包括下一步的能源传输,对网络传输速度及容量提出了越来越高的要求,大功率芯片的市场需求非常大。 在近日发布的2018年第四季度及全年财报中,半导体代工制造商中芯国际联席CEO梁孟松谈到:“中芯国际(00981)第一代FinFET 14nm工艺已经进入客户验证阶段,产品可靠度与良率进一步提升,同时12nm工艺开发也取得突破”,作为自主可控的芯片领域的杰出代表,中芯国际正在加快科技创新的步伐,随着国家政策的大力扶持及5G的加快进程,芯片类个股势必得到市场的追捧,目前正在平台整理,有望实现平台突破。

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