4月20日,SK海力士宣布,全球范围内首次推出12层堆叠HBM3 DRAM,最高容量达24GB,目前客户性能验证中,预计23H1完成量产准备、23H2推向市场。
高算力需求催化HBM高带宽内存需求,同时DRAM和NAND的使用量相对普通服务器分别为8倍、3倍。
未来随着AI服务器渗透率提升,有望带动市场规模持续扩容。
3月31日,中国启动对美光在华销售产品的网络安全审查。
随着“数字立国”战略下网络及数据安全日益重要,加之国内存储厂商持续追赶,有望加速我国存储行业国产化进程。
存储大厂减产改善供需结构,据DRAMeXchange数据,DRAM现货价格目前已停止下跌,早于预期。
随23H2半导体需求好转,有望迎来存储行业新一轮需求拐点。
存储芯片产业链重点标的:
存储芯片:北京君正、兆易创新、东芯股份
存储封测:深科技、长电科技、通富微电
存储载板:兴森科技、深南电路
接口芯片:澜起科技、聚辰股份
存储材料:雅克科技、安集科技、鼎龙股份