本文来自微信公众号“中国半导体论坛”。

在被美日韩掌控的存储芯片市场上，终于有中国公司可以杀进去跟国际大厂正面竞争了。今天上午，紫光集团旗下长江存储宣布，公司已开始量产基于Xtacking®架构的64层256 Gb TLC 3D NAND闪存！

这也是中国首款64层3D NAND闪存，意味着国内在存储芯片有了新的突破。在2018年，长江存储已经量产了32层3D NAND闪存芯片，技术得到了验证。如今，随着64层3D NAND量产，长江存储继续探索高端芯片制造。

市场应用方面，长江存储计划推出集成64层3D NAND闪存的固态硬盘、UFS等产品，以满足数据中心，以及企业级服务器、个人电脑和移动设备制造商的需求。

长江存储联席首席技术官、技术研发中心高级副总裁程卫华表示：“通过将Xtacking®架构引入批量生产，能够显著提升产品性能，缩短开发周期和生产制造周期，从而推动高速大容量存储解决方案市场的快速发展。”程卫华还提到，“随着5G，人工智能和超大规模数据中心时代的到来，闪存市场的需求将持续增长。”

从全球市场看，存储芯片竞争激烈，三星、海力士、东芝、西部数据(WDC.US)、美光(MU.US)、英特尔(INTC.US)等巨头在产能上持续投入，技术也一直领先。2018年，64层、72层的3D NAND闪存就已经是主力产品，2019年开始量产92层、96层的产品，到2020年，大厂们即将进入128层3D NAND闪存的量产。

因此，国内存储产业还处在追赶阶段，不过差距正在缩小。据了解，长江存储有可能跳过9字头，直接进军128层3D NAND闪存产品。

2014年11月，中国成立国家集成电路大基金，这个基金推动中国先进集成电路产业发展。

2016年3月，在集成电路产业基金的支持下，武汉新芯宣布投资240亿美元在武汉打造一个世界级的半导体存储企业，集中精力研究生产NANDFLASH和DRAM。

项目分三个阶段部署，第一家工厂专注NAND闪存生产，第二家工厂专注DRAM芯片生产，第三个阶段的设施将专为供应商服务。请注意，第一家工厂是做NAND FLASH的，正是长江存储是优先量产NAND FLASH产品。

2016年7月，紫光集团参与进来，各方在武汉新芯公司的基础上成立了长江存储公司并控股武汉新芯。长江存储由紫光集团子公司紫光国芯，集成电路基金、湖北国芯产业投资基金合伙企业和省科投共同出资。其中，紫光国芯出资197亿元人民币，占51.04%。

2017年1月，紫光集团进一步宣布投资300亿美元，在江苏南京投资建设半导体存储基地，一期投资100亿美元，建成月产能10万片，主要是生产3D NAND FLASH(闪存)、DRAM存储芯片。

2018年6月，紫光集团宣布投资240亿美元，在西川成都建3D闪存工厂，2018年10月中旬动工，预计2020年12月主体完工，第一期建成之后，将月产10万片，三期都完成后将拥有月产30万片的一个生产能力。

武汉工厂240亿美元+南京工厂300亿美元+成都工厂240亿美元，长江存储项目中国砸了780亿美元，NAND Flash便是长江存储最先发力的方向。

而长江存储目前的表现没有辜负我们对它的期望。