智通财经APP获悉，3月17日，群智咨询发布2026年一季度存储价格风向标。2026年第一季度，全球存储芯片市场在AI算力需求与消费电子供需格局的双重作用下，呈现出价格超预期上涨、结构性分化加剧的显著特征。AI服务器需求持续强劲，叠加消费端需求不确定性增强，存储原厂将产能优先向HBM、DDR5等高利润产品倾斜，导致消费电子用DRAM与NAND供应规模进一步收缩。与此同时，存储厂商与终端厂商的库存水位持续处于低位，补库存需求强烈，进一步放大了市场供应紧张缺口。根据群智咨询数据，2026年第一季度存储价格涨幅超预期，其中消费电子存储价格环比2025年第四季度涨幅超60%，NAND环比涨幅更是突破70%。

各产品价格趋势具体分析如下：

DRAM：消费端价格持续上行，2026年紧缺行情或将延续

2026年第一季度，以LPDDR4X/LPDDR5X为主的消费电子DRAM合约价环比大幅提升，其中手机应用端DRAM合约价环比上涨60%-70%，涨势远超市场预期。

需求端，AI服务器需求带动HBM及DDR5等高带宽内存需求持续旺盛。消费电子中高端产品难以大幅下调存储规格，降规会显著影响用户体验，因此整体容量需求刚性较强，难以通过降规缓解成本压力。供应端，存储原厂持续优化产能配比，随着HBM4量产更多产能向HBM倾斜，进一步压缩了消费端DRAM的供应规模。同时，原厂库存水位处于历史低位，产能扩产存在周期性滞后，短期内难以弥补供应缺口。

整体来看，DRAM供应短缺问题短期内难以缓解，一季度涨幅扩大，二季度将维持上涨趋势。

NAND：短期涨势延续，下半年或趋缓

群智咨询预计，2026年第二季度，消费电子终端NAND价格将延续上涨态势，其中手机应用端NAND价格环比上涨40%-45%，消费级SSD价格环比上涨35%-40%，相比一季度手机应用端的NAND季度涨幅65%-70%要收敛。

需求端，UFS、eMMC及消费级SSD价格均显著上涨，消费级SSD涨幅尤为突出。供应端，头部存储厂商优先将3DNAND先进制程产能分配给企业级eSSD等高利润产品，消费电子用NAND产能供应受到明显排挤。同时，主流厂商产能利用率已处于满载状态，难以快速释放额外产能。

群智咨询认为，AI驱动的产能结构性倾斜趋势难以逆转，新产能释放存在周期性滞后，消费电子终端用NAND供需缺口难以得到实质性缓解，价格将延续上涨态势。