智通财经APP获悉，华创证券发布研报称，近期存储价格全面上涨，除DDR4供给收缩逻辑以外，主要系数据中心建置动能回暖，且AI服务器大幅提升存储要求，驱动新一轮创新大周期，从而大幅提高存储需求。随着数据中心建设以及服务器单柜存储配置提升，该行对25Q4及26年存储价格预期乐观。

华创证券主要观点如下：

企业级需求高增，存储价格全面上涨

(1)DRAM：服务器建置动能回暖，25Q4 DRAM价格涨幅预期上修。海外原厂退产DDR4导致PC领域DDR5渗透率提高，服务器领域受到CSP建置动能回温，DDR5产品需求持续增强，近期DDR5价格稳健上扬。DDR4主要受到原厂产能缩减影响，自24Q4主流存储原厂宣布减产/转产DDR4至今已逾半年，随着产能调整深入演进，DDR4颗粒供不应求价格持续攀升。展望25Q4，Trendforce预计DRAM涨幅预期可观，且25年10月由于供应商收到CSP厂商加单后明显提高调升报价的意愿，Trendforce上调25Q4 DRAM价格预测，一般型DRAM价格预估涨幅从8-13%上修至18-23%，并且很有可能再度上修。展望26年，由于Server需求维持强劲，预期DDR5合约价于2026全年都将呈上涨态势，尤其以上半年较为显著。

(2)NANDFlash：供给优化&企业级需求攀升，价格强势上涨。受人工智能应用以及数据中心、客户端和移动领域日益增长的存储需求的推动，闪迪于25年9月宣布对所有渠道和消费者客户的产品价格调涨10%以上。25年9月以来，在原厂控货+涨价双重驱动下，现货Flash Wafer价格强势上涨，截至2025年10月29日，TLC闪存256Gb/512Gb/1Tb价格相比25年9月2日价格涨幅16.7%/61.3%/27.0%。由于颗粒端价格持续拉升，SSD成品9月起同步跟涨。据Trendforce预测，由于供给优化&企业级SSD需求攀升，预计25Q4 NAND合约价有望全面上涨，平均涨幅达5-10%。

AI服务器大幅提升存储要求，驱动新一轮创新大周期

全球数据中心基础设施扩建浪潮升温，其中存储器为数据存储直接载体，大模型迭代下容量&性能同步进阶，近年服务器NAND和DRAM应用占比持续增长，已成全球存储市场增长核心引擎。

(1)DRAM：低功耗内存需求日益旺盛，26年传统DRAM新增产能有限。数据中心面临如何在提供海量算力的同时降低能耗的问题，因此低功耗内存架构是数据中心必备战略要务，英伟达新一代Grace CPU已使用带有纠错码的LPDDR5X显存来实现服务器级可靠性，同时将能效提高5倍。针对AI数据中心对低功耗DRAM的需求，存储厂商亦积极拓展低功耗内存在数据中心的应用。供给方面，HBM是DRAM行业最核心的价值增长引擎，单位元收入贡献远超传统DRAM，且差距仍在不断扩大。因此主要原厂26年均聚焦HBM产能扩张，传统DRAM新增产能有限。

(2)NAND:受KVCache卸载&HDD挤占影响，NAND出货或将出现爆发式增长。为确保模型训练的准确度，所需的数据量不断增长，且已拓展至多模态数据来源。近年8TB/16TB及以上中高容量eSSD应用占比大幅提升。且PCIe5.0 SSD可加速模型部署，渗透率逐步提高。除容量和配置的升级以外，KVCache用于缓存历史token计算结果，通过实现对重复计算过程的智能规避来提高计算效率，一般存储于GPU内存中。KVCache容量的增长已超过HBM承载上限，频繁的内存溢出可能导致推理过程出现“记忆断片”，迫使GPU执行重复计算，从而引发延迟和卡顿。将KVCache卸载到DRAM、SSD等成本更低、容量更充裕的内存层级成为业界核心策略。此外，HDD是数据中心冷数据的首选，承载近80%存储容量。由于全球主要HDD制造商近年未规划扩大产线，推理需求导致Nearline HDD严重缺货，云厂商开始考虑使用SSD去补齐HDD缺口，促使高效能、高成本的SSD逐渐成为市场焦点，特别是大容量的QLCSSD出货可能于2026年出现爆发性增长。

风险提示：存储产品价格波动影响、下游需求不及预期