【 消息称三星电子将于6月30日开始量产3纳米芯片 】 据外媒报道,三星电子将于6月30日开始批量生产基于全环绕栅极技术的3纳米半导体。报道称,三星电子将于6月30日正式宣布大规模生产基于GAA的3纳米半导体。GAA晶体管结构优于目前的FinFET结构,因为它可以减少芯片尺寸和功耗。
【 消息称三星电子将于6月30日开始量产3纳米芯片 】 据外媒报道,三星电子将于6月30日开始批量生产基于全环绕栅极技术的3纳米半导体。报道称,三星电子将于6月30日正式宣布大规模生产基于GAA的3纳米半导体。GAA晶体管结构优于目前的FinFET结构,因为它可以减少芯片尺寸和功耗。